Вышедшие номера
Влияние радиационно-термической обработки на характеристики NV-центров в алмазе
Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation , № 075-15-2024-556
Скоморохов А.М.1, Успенская Ю.А.1, Учаев М.В.1, Гурин А.С.1, Крамущенко Д.Д.1, Мамин Г.В.2, Косач П.А.2, Винс В.Г.3, Елисеев А.П.4, Баранов П.Г.1, Бабунц Р.А.1, Килин С.Я.5
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Казанский (Приволжский) федеральный университет, Казань, Россия
3ООО " ВЕЛМАН", Новосибирск, Россия
4Институт геологии и минералогии им. В.С. Соболева СО РАН, Новосибирск, Россия
5Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
Поступила в редакцию: 28 августа 2026 г.
В окончательной редакции: 9 сентября 2026 г.
Принята к печати: 16 сентября 2026 г.
Выставление онлайн: 16 октября 2026 г.

Проведен анализ влияния дозы облучения электронами серии образцов алмаза, содержащих примерно одинаковую концентрацию азота, на характеристики NV-центров. Исследования проводились оптическими методами, в том числе методом оптически детектируемого магнитного резонанса в нулевом поле, а также методом электронного парамагнитного резонанса в X-диапазоне. В режиме детектирования электронного спинового эха измерены времена спин-спиновой (T2) и спин-решеточной (T1) релаксации. Доза облучения варьировалась от 1017 до 60·1017 е-/cm2. Ключевые слова: оптически детектируемый магнитный резонанс, электронный парамагнитный резонанс, фотолюминесценция, спиновое эхо, алмаз, NV-центр.
  1. M.W. Doherty, N.B. Manson, P. Delaney, F. Jelezko, J. Wrachtrup, L.C.L. Hollenberg. Phys. Rep., 528 (1), 1 (2013). DOI: 10.1016/j.physrep.2013.02.001
  2. R.A. Babunts, I.D. Breev, D.D. Kramushchenko, A.P. Bundakova, M.V. Muzafarova, A. N. Anisimov, P.G. Baranov. J. Appl. Phys., 132, 175705 (2022). DOI: 10.1063/5.0107019
  3. J. Wrachtrup, F. Jelezko. J. Phys. :Condens. Mat., 18 (21), 807 (2006). DOI: 10.48550/arXiv.quant-ph/0510152
  4. L. Childress, M.V. Gurudev Dutt, J.M. Taylor, A.S. Zibrov, F. Jelezko, J. Wrachtrup, P.R. Hemmer, M.D. Lukin. Science, 314, 281 (2006). DOI: 10.1126/science.1131871
  5. D.D. Awschalom, R. Epstein, R. Hanson. Sci. Am., 297 (4), 84 (2007). DOI: 10.1038/scientificamerican1007-84
  6. M.V. Gurudev Dutt, L. Childress, L. Jiang, E. Togan, J. Maze, F. Jelezko, A.S. Zibrov, P.R. Hemmer, M.D. Lukin. Science, 316, 1312 (2007). DOI: 10.1126/science.1139831
  7. R. Schirhagl, K. Chang, M. Loretz, C.L. Degen. Ann. Rev. Phys. Chem., 65, 83 (2014). DOI: 10.1146/annurev-physchem-040513-103659
  8. A. Gruber, A. Drabenstedt, C. Tietz, L. Fleury, J. Wrachtrup, C. von Borczyskowski. Science, 276 (5321), 2012 (1997). DOI: 10.1126/science.276.5321.2012
  9. M.W. Doherty, V.V. Struzhkin, D.A. Simpson, L.P. McGuinness, Y. Meng, A. Stacey, T.J. Karle, R. J. Hemley, N.B. Manson, L.C.K. Hollenberg, S. Prawer. Phys. Rev. Let., 112, 047601 (2014). DOI: 10.1103/PhysRevLett.112.047601
  10. P.G. Baranov, H.J. von Bardeleben, F. Jelezko, J. Wrachtrup. Magnetic Resonance of Semiconductors and Their Nanostructures (Springer Series in Materials Science, Vienna, 2017) vol. 253. DOI: 10.1007/978-3-7091-1157-4
  11. J.M. Smith, S. Meynell, A.C. Bleszynski Jayich, J. Meijer. Nanophotonics, 8 (11), 1889 (2019). DOI: 10.1515/nanoph-2019-0196
  12. Y. Li, H. Li, T. Yi, C. Li, J. Wei. Functional Diamond, 5 (1), 2567286 (2025). DOI: 10.1080/26941112.2025.2567286
  13. A. Abdelrahman, A. Zkria, T. Yoshitake. Int. Exch. Innov. Conf. Engin. Sci., 9, 417 (2023). DOI: 10.5109/7158033
  14. V.M. Acosta, E. Bauch, M.P. Ledbetter, A. Waxman, L.S. Bouchard, D. Budker. Phys. Rev. Lett., 104, 070801 (2010). DOI: 10.1103/PhysRevLett.104.070801
  15. A. Jarmola, I. Fescenko, V.M. Acosta, M.W. Doherty, F.K. Fatemi, T. Ivanov, D. Budker, V.S. Malinovsky. Phys. Rev. Res., 2, 023094 (2020). DOI: 10.1103/PhysRevResearch.2.023094
  16. M.W. Doherty, V.V. Struzhkin, D.A. Simpson, L.P. McGuinness, Y. Meng, A. Stacey, T.J. Karle, R.J Hemley, N.B. Manson. Phys. Rev. Lett., 112 (4), 047601 (2014). DOI: 10.1103/PhysRevLett.112.047601
  17. J. Teissier, A. Barfuss, P. Appel, E. Neu-Ruffing, P. Maletinsky. Phys. Rev. Lett., 113 (2), 020503 (2014). DOI: 10.1103/PhysRevLett.113.020503
  18. P. Ovartchaiyapong, K.W. Lee, B.A. Myers, A.C. Bleszynski Jayich. Nature Comm., 5 (1), 4429 (2014). DOI: 10.1038/ncomms5429
  19. П.Г. Баранов, А.Я. Вуль, С.В. Кидалов, А.А. Солтамова, Ф.М. Шахов. Способ получения алмазной структуры с азотно-вакансионными дефектами. Патент РФ N 2448900, 27.04.2012
  20. K. Sasaki, Y. Monnai, S. Saijo, R. Fujita, H. Watanabe, J. Ishi-Hayase, K.M. Itoh, E. Abe. Rev. Sci. Instr., 87, 053904 (2016). DOI: 10.1063/1.4952418
  21. M.W. Doherty, V.M. Acosta, A. Jarmola, M.S.J. Barson, N.B. Manson, D. Budker, L.C.L. Hollenberg. Phys. Rev. B, 90, 041201 (2014). DOI: 10.1103/PhysRevB.90.041201
  22. E.L. Hahn. Phys. Rev., 80 (4), 580 (1950). DOI: 10.1103/PhysRev.80.580
  23. К.М. Салихов, А.Г. Семёнов, Ю.Д. Цветков. Электронное спиновое эхо и его применение (Наука, Новосибирск, 1976)
  24. Р.A. Бабунц, А. С. Гурин, А.П. Бундакова, М.В. Музафарова, А.Н. Анисимов, П.Г. Баранов. Письма в ЖТФ, 49 (1), 43(2023). DOI: 10.21883/PJTF.2023.01.54058.19391 [R.A. Babunts, A.S. Gurin, A.P. Bundakova, M.V. Muzafarova, A.N. Anisimov, P.G. Baranov. Tech. Phys. Lett., 49 (1), 40 (2023). DOI: 10.21883/TPL.2023.01.55346.19391]
  25. X. Chen, Ch. Qiu, Ya. Lu, G. Liu, D. Ruan, F. Zhang, G. Long. Phys. Rev. B, 108, 174111 (2023). DOI: 10.1103/PhysRevB.108.214514

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.