Представлена методика, позволяющая учесть интерференционные явления в терагерцовом эмиттере InAs, эпитаксиальная пленка которого синтезируется на подложке полуизолирующего GaAs, и достичь более высокого частотного разрешения при спектральном анализе. Для верификации методики проведены экспериментальные исследования пропускания терагерцового излучения образцов кремния и прессованных таблеток на основе порошка полиэтилена и смеси магнитных наночастиц Fe₃O₄, покрытых слоем SiO₂ и глюкозы, выполненные с помощью терагерцового спектрометра с временным разрешением на базе терагерцового эмиттера InAs, и выполнен расчет оптических параметров исследуемых образцов. Ключевые слова: время-разрешенная терагерцовая спектроскопия, кремний, наночастицы, спектры кремния, InAs, терагерцовое излучение.