Влияние ширины шейки на оптические свойства перфорированного графена
Российский научный фонд , 25-72-00202
Барков П.В.
1, Слепченков М.М.
1, Глухова О.Е.
1,21Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
2Первый Московский государственный медицинский университет имени И.М. Сеченова, Москва, Россия
Email: barkovssu@mail.ru, slepchenkovm@mail.ru, glukhovaoe@info.sgu.ru
Поступила в редакцию: 25 декабря 2026 г.
В окончательной редакции: 23 января 2026 г.
Принята к печати: 3 июня 2026 г.
Выставление онлайн: 7 сентября 2026 г.
Методом функционала плотности в приближении сильной связи проведён прогностический анализ оптических свойств тонких пленок перфорированного графена с отверстиями почти круглой формы диаметром ~1 nm. Изучено влияние одного из ключевых геометрических параметров перфорированного графена - ширины шейки - на его оптическую проводимость при поляризации света в направлении " зигзаг" (ось X) и в направлении " кресло" (ось Y) гексагональной решетки. Ширина шейки в направлении " зигзаг" гексагональной решетки графена меняется в диапазоне от 0.74 nm до 2.22 nm с шагом Δ WX=0.24 nm, ширина шейки в направлении " кресло" меняется в диапазоне от 1.01 nm до 2.29 nm с шагом Δ WY=0.42 nm. Для расчета оптической проводимости использована формула Кубо-Гринвуда из теории линейного отклика на внешнее воздействие. Определены значения ширины шейки, при которых пленки перфорированного графена имеют щелевую зонную структуру, и как наличие запрещенной зоны влияет на их оптическую проводимость. На основе полученных результатов обсуждена возможность использования исследуемых пленок перфорированного графена в качестве чувствительного элемента детекторов инфракрасного и ультрафиолетового излучения. Ключевые слова: перфорированный графен, оптическая проводимость, теория функционала плотности в приближении сильной связи, ширина шейки.
- K.S. Novoselov, A.K. Geim, S.V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S.V. Dubonos, I.V. Grigorieva, A.A. Firsov. Science, 306, 666 (2004). DOI: 10.1126/science.110289
- A.C. Neto, F. Guinea, N.M. Peres, K.S. Novoselov, A.K. Geim., Rev. Mod. Phys., 81, 109 (2009). DOI: 10.1103/RevModPhys.81.109
- G. Liu, W. Jin, N. Xu. Chem. Soc. Rev., 44, 5016 (2015). DOI: 10.1039/C4CS00423J
- K.S. Novoselov, A. Geim. Nat. Mater, 6, 183 (2007). DOI: 10.1038/nmat1849
- K.S. Novoselov, A.K. Geim, S.V. Morozov, D. Jiang, M.I. Katsnelson, I. Grigorieva, S. Dubonos, A. Firsov. Nature, 438, 197 (2005). DOI: 10.1038/nature04233
- B. Liu, K. Zhou. Prog. Mater. Sci., 100, 99 (2019). DOI: 10.1016/j.pmatsci.2018.09.004
- H. Terrones, R. Lv., M. Terrones, M.S. Dresselhaus. Rep. Prog. Phys., 75 (2012). DOI: 10.1088/0034-4885/75/6/062501
- A.R. Botello-Mendez, A. Lherbier, J.C. Charlier. Solid State Commun., 175 (2013). DOI: 10.1016/j.ssc.2013.08.029
- R. Ma, Y. Zhou, H. Bi, M. Yang, J. Wang, Q. Liu, F. Huang. Prog. Mater. Sci., 113, 100665 (2020). DOI: 10.1016/j.pmatsci.2020.100665
- T. Liu, L. Zhang, B. Cheng, X. Hu, J. Yu. Cell Rep. Phys. Sci., 1, 100215 (2020). DOI: 10.1016/j.xcrp.2020.100215
- Y. Lin, Y. Liao, Z. Chen, J.W. Connell. Mater. Res. Lett., 5, 209 (2017). DOI: 10.1080/21663831.2016.1271047
- C. Gomez-Navarro, J.C. Meyer, R.S. Sundaram, A. Chuvilin, S. Kurasch, M. Burghard, K. Kern, U. Kaiser. Nano Lett., 10, 1144 (2010). DOI: 10.1021/nl9031617
- D. Singh, V. Shukla, R. Ahuja. Phys. Rev. B, 102, 075444 (2020). DOI: 10.1103/PhysRevB.102.075444
- A. Zhang, H.F. Teoh, Z. Dai, Y.P. Feng, C. Zhang. Appl. Phys. Lett., 98, 023105 (2011). DOI: 10.1063/1.3536517
- V.H. Nguyen, M.C. Nguyen, H.-V. Nguyen, P. Dollfus. J. Appl. Phys., 113, 013702 (2013). DOI: 10.1063/1.4772609
- J. Bai, X. Zhong, S. Jiang, Y. Huang, X. Duan. Nat. Nanotechnol., 5, 190 (2010). DOI: 10.1038/nnano.2010.8
- M. Kim, N.S. Safron, E. Han, M.S. Arnold, P. Gopalan. Nano Lett., 10, 1125 (2010). DOI: 10.1021/nl9032318
- K.A. Sammed, L. Pan, M. Asif, M. Usman, T. Cong, F. Amjad, M.A. Imran, Sci. Rep., 10, 2315 (2020). DOI: 10.1038/s41598-020-58162-9
- Z. Chena, Y. Zhanga, Y. Yang, X. Shia, L. Zhanga, G. Jia. Sens. Actuators B Chem., 336, 129721 (2021). DOI: 10.1002/cssc.201501169
- T.G. Pedersen, C. Flindt, J. Pedersen, N.A. Mortensen, A.-P. Jauho, K. Pedersen. Phys. Rev. Lett., 100, 136804 (2008). DOI: 10.1103/PhysRevLett.100.136804
- B. Sakkaki, H.R. Saghai, G. Darvish, M. Khatir. Opt. Mater., 122, 111707 (2021). DOI: 10.1016/j.optmat.2021.111707
- L.A. Chernozatonskii, A.A. Artyukh, A.G. Kvashnin, D.G. Kvashnin. ACS Appl. Mater. Interfaces, 12, 55189 (2020). DOI: 10.1021/acsami.0c17060
- O.V. Sedelnikova, S.G. Stolyarova, A.L. Chuvilin, A.V. Okotrub, L.G. Bulusheva. Appl. Phys. Lett., 114, 091901 (2019). DOI: 10.1063/1.5080617
- A. Winter, Y. Ekinci, A. Golzhauser, A. Turchanin. 2D Materials., 6, 021002 (2019). DOI: 10.10588/203-1583/ab0014
- C. Carpenter, A.M. Christmann, L. Hu, I. Fampiou, A.R. Muniz, A. Ramasubramaniam, D. Maroudas. Appl. Phys. Lett., 104 (14), 141911 (2014). DOI: 10.1063/1.4871304
- G. Tang, Z. Zhang, X. Deng, Z. Fan, Y. Zeng, J. Zhou. Carbon, 76, 348 (2014). DOI: 10.1016/j.carbon.2014.04.086
- M. Elstner, D. Porezag, G. Jungnickel, J. Elsner, M. Haugk, Th. Frauenheim, S. Suhai, G. Seifert. Phys. Rev. B, 58, 7260 (1998). DOI: 10.1103/PhysRevB.58.7260
- B. Aradi, B. Hourahine, Th. Frauenheim. J. Phys. Chem. A, 111, 5678 (2007). DOI: 10.1021/jp070186p
- M.P. Marder. Condensed Matter Physics, 2th ed. (Wiley, New York, 2011)
- H.A. Le, S.T. Ho, D.C. Nguyen, V.N. Do. J. Phys. Condens Matter, 26, 405304e1-10 (2014). DOI: 10.1088/0953-8984/26/40/405304
- M.K. Rabchinskii, S.D. Saveliev, D.Yu. Stolyarova, M. Brzhezinskaya, D.A. Kirilenko, M.V. Baidakova, S.A. Ryzhkov, V.V. Shnitov, V.V. Sysoev, P.N. Brunkov. Carbon, 182, 593 (2021). DOI: 10.1016/j.carbon.2021.06.057
- M.K. Rabchinskii, V.V. Shnitov, A.T. Dideikin, A.E. Aleksenskii, S.P. Vul', M.V. Baidakova, I.I. Pronin, D.A. Kirilenko, P.N. Brunkov, J. Weise, S.L. Molodtsov. J. Phys Chem C, 120, 28261 (2016). DOI: 10.1021/acs.jpcc.6b08758
- F. Jensen. Introduction to computational chemistry, 2nd ed. (Wiley, New York, 2007)
- K.F. Maka, L. Ju, F. Wang, T.F. Heinz. Solid State Commun., 152, 1341 (2012). DOI: 10.1016/j.ssc.2012.04.064
- V.H. Nguyen, F. Mazzamuto, J. Saint-Martin, A. Bournel, P. Dollfus. Nanotechnology, 23, 065201 (2012). DOI: 10.1088/0957-4484/23/6/065201
- Y. Kobayashi, K. Kusakabe, K. Fukui, T. Enoki. Physica E: Low-dim. Syst. Nanostruct., 34, 678 (2006). DOI: 10.1016/j.physe.2006.03.058
- Y. Xie, M. Han, R. Wang, H. Zobeiri, X. Deng, P. Zhang, X. Wang. ACS Nano, 13 (5), 5385 (2019). DOI: 10.1021/acsnano.9b00031
- Y.P. Suhorukov, A.V. Telegin, K.G. Mikheev, R.G. Zonov, L.I. Naumova, G.M. Mikheev. Opt. Mater., 133, 112957 (2022). DOI: 10.1016/j.optmat.2022.112957
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.