Вышедшие номера
Home » Оптика и спектроскопия » Год 2026, выпуск 8 » Статья стр. 881
<<<>>>
Исследование нелинейно-оптической релаксации в пленках MoS2 с различным количеством слоев
Российский научный фонд, 24-42-10001
Кондрашов И.И. 1,2, Федотов П.В. 1,2, Деревяго А.Н.3, Бокова-Сирош С.Н. 1,2, Осадчий А.В. 1, Образцова Е.Д. 1,2, Чижов П.А. 1,2
1Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
2Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет), Долгопрудный, Московская обл., Россия
3Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
Email: pvch@inbox.ru
Поступила в редакцию: 10 декабря 2025 г.
В окончательной редакции: 4 февраля 2025 г.
Принята к печати: 3 июня 2025 г.
Выставление онлайн: 7 сентября 2026 г.
PDF версия
В настоящей работе представлены результаты исследований оптических свойств малослойных пленок дисульфида молибдена (MoS2), синтезированных методом химического осаждения из газовой фазы (CVD), нанесенных на кварцевые подложки. Проведен анализ количества слоев в синтезированных пленках, исследованы их спектры фотолюминесценции и оптического поглощения. Методом оптической накачки-зондирования определены времена сверхбыстрой релаксации. Подтверждено существование зависимости времени медленной релаксации от числа слоев материала вблизи экситонных полос A и B. Ключевые слова: химическое осаждение из газовой фазы (CVD), MoS2, малослойные пленки, спектроскопия комбинационного рассеяния, фотолюминесценция, накачка-зондирование, экситоны, сверхбыстрая релаксация.
  1. K.F. Mak, C. Lee, J. Hone, J. Shan, T.F. Heinz. Phys. Rev. Lett., 105, 136805 (2010). DOI: 10.1103/PhysRevLett.105.136805
  2. A. Splendiani, L. Sun, Y. Zhang, T. Li, J. Kim, C.-Y. Chim, G. Galli, F. Wang. Nano Lett., 10, 1271-1275 (2010). DOI: 10.1021/nl903868w
  3. A.M. Van der Zande, P.Y. Huang, D.A. Chenet, T.C. Berkelbach, Y. You, G.-H. Lee, T.F. Heinz, D.R. Reichman, D.A. Muller, J.C. Hone. Nat. Mater., 12, 554-561 (2013). DOI: 10.1038/nmat3633
  4. Q.H. Wang, K. Kalantar-Zadeh, A. Kis, J.N. Coleman, M.S. Strano. Nat. Nanotechnol., 7, 699-712 (2012). DOI: 10.1038/nnano.2012.193
  5. J.H. Strait, P. Nene, F. Rana. Phys. Rev. B, 90, 245402 (2014). DOI: 10.1103/PhysRevB.90.245402
  6. Z. Yin, H. Li, H. Li, L. Jiang, Y. Shi, Y. Sun, G. Lu, Q. Zhang, X. Chen, H. Zhang. ACS Nano, 6, 74-80 (2012). DOI: 10.1021/nn2024557
  7. H. Li, J. Wu, Z. Yin, H. Zhang. Accounts Chem. Research, 47, 1067-1075 (2014). DOI: 10.1021/ar4002312
  8. G.Z. Magda, J. Peto, G. Dobrik, C. Hwang, L.P. Biro, L. Tapaszto. Sci. Reports, 5, 14714 (2015). DOI: 10.1038/srep14714
  9. I. Aksorngul, N. Buawat, T. Ngernsutivorakul, R. Botta, P. Yotprayoonsak. Surfaces and Interfaces, 45, 103835 (2024). DOI: 10.1016/j.surfin.2023.103835
  10. W. Qiao, S. Yan, X. He, X. Song, Z. Li, X. Zhang et al. RSC Adv., 4, 50981-50987 (2014). DOI: 10.1039/C4RA09001B
  11. C. Mihai, I.-D. Simandan, F. Sava, A.-T. Buruiana, A.E. Bocirnea, T. Tite, M.Y. Zaki, A. Velea. Sustainability, 16, 3819 (2024). DOI: 10.3390/su16093819
  12. C.R. Serrao, A.M. Diamond, S.L. Hsu, L. You, S. Gadgil, J. Clarkson, C. Carraro, R. Maboudian, C. Hu, S. Salahuddin. Appl. Phys. Lett., 106, 052101 (2015). DOI: 10.1063/1.4907169
  13. B. Napoleonov, D. Petrova, N. Minev, P. Rafailov, V. Videva, D. Karashanova, B. Ranguelov, S. Atanasova-Vladimirova, V. Strijkova, D. Dimov et al. Nanomaterials, 14, 1213 (2024). DOI: 10.3390/nano14141213
  14. A.B. Loginov, S.N. Bokova-Sirosh, P.V. Fedotov, I.V. Sapkov, D.N. Chmelenin, R.R. Ismagilov, E.D. Obraztsova, B.A. Loginov, A.N. Obraztsov. Semiconductors, 56 (12), 887 (2022). DOI: 10.21883/SC.2022.12.55146.4129
  15. A.B. Loginov, M.M. Kuvatov, R.R. Ismagilov, I.V. Sapkov, P.V. Fedotov, V.I. Kleshch, E.D. Obraztsova, A.N. Obraztsov. Nanotechnology, 35, 415601 (2024). DOI: 10.1088/1361-6528/ad5a16
  16. D.K. Singh, G. Gupta. Mater. Adv., 3, 6142 (2022). DOI: 10.1039/D2MA00352J
  17. B. Radisavljevic, A. Kis. Nat. Mater., 12, 815-820 (2013). DOI: 10.1038/nmat3687
  18. Z. Zheng, L. Hai, H. Zhang, X. Lou, T. Zhai, F. Xia. Matter, 5 (11), 3580-3582 (2022). DOI: 10.1016/j.matt.2022.10.008
  19. J. Tan, H. Lai, P. Liu, Y. Zhou, W. Xie. Laser Photonics Rev., 18, 2300941 (2024). DOI: 10.1002/lpor.202300941
  20. R.I. Woodward, E.J.R. Kelleher, R.C.T. Howe, G. Hu, F. Torrisi, T. Hasan, S.V. Popov, J.R. Taylor. Opt. Express, 22, 31113-31122 (2014). DOI: 10.1364/OE.22.031113
  21. L. Cao, X. Li, R. Zhang, D. Wu, S. Dai, J. Peng, J. Weng, Q. Nie. Opt. Fiber Technology, 41, 187-192 (2018). DOI: 10.1016/j.yofte.2018.01.023
  22. Z. Luo, D. Wu, B. Xu, H. Xu, Z. Cai, J. Peng, J. Weng, S. Xu, C. Zhu, F. Wang, Z. Sun, H. Zhang. Nanoscale, 8, 1066 (2016). DOI: 10.1039/C5NR06981E
  23. H. Wang, C. Zhang, F. Rana. Nano Lett., 15 (1), 339-345 (2014). DOI: 10.1021/nl503636c
  24. H. Shi, R. Yan, S. Bertolazzi, J. Brivio, B. Gao, A. Kis, D. Jena, H.G. Xing, L. Huang. ACS Nano, 7 (2), 1072-1080 (2013). DOI: 10.1021/nn303973r
  25. H. Wang, C. Zhang, F. Rana. Nano Lett., 15 (12), 8204-8210 (2015). DOI: 10.1021/acs.nanolett.5b03708
  26. P. Valencia-Acuna, P. Zereshki, M.M. Tavakoli, J.-H. Park, J. Kong, H. Zhao. Phys. Rev. B, 102, 035414 (2020). DOI: 10.1103/PhysRevB.102.035414
  27. G. Agunbiade, N. Rafizadeh, R.J. Scott, H. Zhao. Phys. Rev. B, 109, 035410 (2024). DOI: 10.1103/PhysRevB.109.035410
  28. D. Sun, Y. Rao, G.A. Reider, G. Chen, Y. You, L. Brezin, A.R. Harutyunyan, T.F. Heinz. Nano Lett., 14 (10), 5625-5629 (2014). DOI: 10.1021/nl5021975
  29. T. Zhang, J. Wang. ACS Photonics, 8 (9), 2770-2780 (2021). DOI: 10.1021/acsphotonics.1c00932
  30. H.-S. Tsai, Y.-H. Huang, P.-C. Tsai, Y.-J. Chen, H. Ahn, S.-Y. Lin, Y.-J. Lu. ACS Omega, 5 (19), 10725-10730 (2020). DOI: 10.1021/acsomega.0c00187
  31. M. Suleman, S. Lee, M. Kim, V.H. Nguyen, M. Riaz, N. Nasir, S. Kumar, H.M. Park, J. Jung, Y. Seo. ACS Omega, 7 (34), 30074-30086 (2022). DOI: 10.1021/acsomega.2c03108
  32. A. Singh, M. Sharma, R. Singh. Cryst. Growth Des., 21 (9), 4940-4946 (2021). DOI: 10.1021/acs.cgd.1c00390
  33. F. Chen, X. Jiang, J. Shao, B. Lu, L. Fu, S. Zhao, W. Su. CrystEngComm, 23, 1345-1351 (2021). DOI: 10.1039/D0CE01711F
  34. X. Ling, Y.-H. Lee, Y. Lin, W. Fang, L. Yu, M.S. Dresselhaus, J. Kong. Nano Lett., 14 (2), 464-472 (2014). DOI: 10.1021/nl4033704
  35. H.-Y. Cho, T.K. Nguyen, F. Ullah, J.-W. Yun, C.K. Nguyen, Y.S. Kim. Physica B: Condensed Matter, 532, 84-89 (2017). DOI: 10.1016/j.physb.2017.10.026
  36. A.P. Singh, H. Xu, A. Ghiami, S. Tang, Z. Wang, H. Kalisch, S. Hoffmann-Eifert, A. Daus, S. Ingebrandt, A. Vescan, V. Pachauri. Appl. Surface Sci., 669, 160331 (2024). DOI: 10.1016/j.apsusc.2024.160331
  37. L. Su, Y. Yu, L. Cao, Y. Zhang. Phys. Rev. Applied, 7, 034009 (2016). DOI: 10.1103/PhysRevApplied.7.034009
  38. H. Li, Q. Zhang, C.C.R. Yap, B.K. Tay, T.H.T. Edwin, A. Olivier, D. Baillargeat. Adv. Funct. Mater., 22 (7), 1385-1390 (2012). DOI: 10.1002/adfm.201102111
  39. A. Jagminas, G. Niaura, R. vZalneravivcius, R. Trusovas, G. Ravciukaitis, V. Jasulaitiene. Sci. Reports, 6, 37514 (2016). DOI: 10.1038/srep37514
  40. J.-L. Meng, J.-Q. Zhu, S.-T. Jia, X. Ren. Materials Science, 26 (2), 143-146 (2020). DOI: 10.5755/j01.ms.26.2.21576
  41. X. Zhang, W.P. Han, J.B. Wu, S. Milana, Y. Lu, Q.Q. Li, A.C. Ferrari, P.H. Tan. Phys. Rev. B, 87, 115413 (2013). DOI: 10.1103/PhysRevB.87.115413
  42. K.F. Mak, C. Lee, J. Hone, J. Shan, T.F. Heinz. Phys. Rev. Lett., 105, 136805 (2010). DOI: 10.1103/PhysRevLett.105.136805
  43. K.P. Dhakal, D.L. Duong, J. Lee, H. Nam, M. Kim, M. Kan, Y.H. Lee, J. Kim. Nanoscale, 6, 13028-13035 (2014). DOI: 10.1039/c4nr03703k
  44. A. Castellanos-Gomez, J. Quereda, H.P. van der Meulen, N. Agrait, G. Rubio-Bollinger. Nanotechnology, 27, 115705 (2016). DOI: 10.1088/0957-4484/27/11/115705
  45. Z. Nie, R. Long, L. Sun, C.-C. Huang, J. Zhang, Q. Xiong, D.W. Hewak, Z. Shen, O.V. Prezhdo, Z.-H. Loh. ACS Nano, 8 (10), 10931-10940 (2014). DOI: 10.1021/nn504760x

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme