Исследованы ватт-амперные характеристики ультрафиолетовых, голубых и зеленых светодиодов на основе InGaN/GaN-гетероструктур, измеренные на разных участках спектра излучения со спектральным разрешением порядка 1.5 nm. По результатам измерения и аппроксимации ватт-амперных характеристик различными функциями определялись значения порогового тока, значения тока, при котором достигается максимум внутренней квантовой эффективности, и параметра, определяющего степень нелинейности ватт-амперной характеристики в диапазоне малых токов. Установлено, что у ультрафиолетовых светодиодов все три параметра слабо зависят от длины волны спектра излучения. У зеленых и синих светодиодов указанные параметры различаются на коротковолновом и длинноволновом участках спектра, причем для зеленых светодиодов это различие больше, чем для синих. Различия параметров светодиодов разного цвета свечения на основе InGaN/GaN-гетероструктур с квантовыми ямами объясняются различием концентраций и неоднородным распределением индия в квантовых ямах гетероструктуры. Ключевые слова: светодиодная гетероструктура, спектры излучения, ватт-амперные характеристики, пороговый ток, ток максимума квантовой эффективности.