Вышедшие номера
Импульсный лазерный отжиг кремния, имплантированного ионами марганца
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Госзадание КФТИ
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, двух- и многостороннее научно-технологическое взаимодействие, № 075-15-2023-612
Ковалев М.С. 1, Подлесных И.М. 1, Баталов Р.И. 2, Сцепуро Н.Г. 1, Кудряшов С.И. 1
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского, ФИЦ Казанский научный центр РАН, Казань, Россия
Email: i.podlesnykh@lebedev.ru
Поступила в редакцию: 11 декабря 2023 г.
В окончательной редакции: 9 января 2024 г.
Принята к печати: 16 января 2024 г.
Выставление онлайн: 2 апреля 2024 г.

Описана методика импульсного лазерного отжига кремния, предварительно сверхлегированного атомами марганца с помощью ионной имплантации. Подобраны оптимальные режимы лазерного отжига, которые обеспечивали наилучшую кристалличность образцов. Проанализировано влияние импульсного лазерного отжига на некоторые оптические и структурные свойства сверхлегированных кремниевых пластин на основе спектров комбинационного рассеяния, энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии, спектров инфракрасного поглощения в диапазоне волновых чисел от 700 до 1300 cm-1. Ключевые слова: импульсный лазерный отжиг, сверхлегирование, ионная имплантация, кремний, марганец.
  1. C. Li, J.-H. Zhao, Z.-G. Chen. J. Alloys Compd., 883, 160765 (2021). DOI: 10.1016/j.jallcom.2021.160765
  2. S. Kudryashov, K. Boldyrev, A. Nastulyavichus, D. Prikhod'ko, S. Tarelkin, D. Kirilenko, P. Brunkov, A. Shakhmin, K. Khamidullin, G. Krasin, M. Kovalev. Opt. Mater. Express, 11 (11), 3792 (2021). DOI: 10.1364/OME.438023
  3. S. Kudryashov, A. Nastulyavichus, G. Krasin, K. Khamidullin, K.Boldyrev, D. Kirilenko, A. Yachmenev, D. Ponomarev, G. Komandin, S. Lebedev, D. Prikhod'ko, M. Kovalev. Opt. Laser Technol., 158, 108873 (2023). DOI: 10.1016/j.optlastec.2022.108873
  4. M. Kovalev, A. Nastulyavichus, I. Podlesnykh, N. Stsepuro, V. Pryakhina, E. Greshnyakov, A. Serdobintsev, I. Gritsenko, R. Khmelnitskii, S. Kudryashov. Materials, 16 (12), 4439 (2023). DOI: 10.3390/ma16124439
  5. В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках (Изд. ФТИ им. Иоффе РАН, 1997)
  6. M. Bolduc, C. Awo-Affouda, A. Stollenwerk, M.B. Huang, F.G. Ramos, G. Agnello, V.P. LaBella. Phys. Rev. B, 71 (3), 033302 (2005). DOI: 10.1103/PhysRevB.71.033302
  7. L. Li, D. Burger, A. Shalimov, G.J. Kovacs, H. Schmidt, S. Zhou. J. Phys. D: Appl. Phys., 51 (16), 165304 (2018). DOI: 10.1088/1361-6463/aab5a6
  8. N. Peng, C. Jeynes, M.J. Bailey, D. Adikaari, V. Stolojan, R.P. Webb. Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B, 267 (8-9), 1623-1625 (2009). DOI: 10.1016/j.nimb.2009.01.065
  9. C. Awo-Affouda, M. Bolduc, V.P. LaBella. J. Vac. Sci. Technol. A, 25 (4), 976-979 (2007). DOI: 10.1116/1.2713117
  10. M. Naito, R. Yamada, N. Machida, Y. Koshiba, A. Sugimura, T. Aoki, I. Umezu. Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B, 365, 110-113 (2015). DOI: 10.1016/j.nimb.2015.07.073
  11. S. Zhou, K. Potzger, G. Zhang, A. Mcklich, F. Eichhorn, N. Schell, R. Grotzschel, B. Schmidt, W. Skorupa, M. Helm, J. Fassbender, D. Geiger. Phys. Rev. B, 75 (8), 085203 (2007). DOI: 10.1103/PhysRevB.75.085203
  12. W. Kern. J. Electrochem. Soc., 137, 1887 (1990). DOI: 10.1149/1.2086825
  13. L. Zarraoa, M.U. Gonzalez, A.S. Paulo. J. Sci. Rep., 9, 16263 (2019). DOI: 10.1038/s41598-019-52690-9
  14. M. Kovalev, I. Podlesnykh, A. Nastulyavichus, N. Stsepuro, I. Mushkarina, P. Platonov, E. Terukov, S. Abolmasov, A. Dunaev, A. Akhmatkhanov, V. Shur, S. Kudryshov. Materials, 16 (6), 2350 (2023). DOI: 10.3390/ma16062350
  15. T. OH, C.K. Choi. J. Korean Phys. Soc., 56 (4), 1150-1155 (2010). DOI: 10.3938/jkps.56.1150
  16. B. Arkles, G.L. Larson. Silicon Compounds: Silanes \& Silicones, 3rd ed. (Gelest Inc., Morrisville, PA 19067, 2013)
  17. L. Jastrzebski, J. Lagowski, H.C. Gatos. J. Electrochem. Soc., 126 (2), 260 (1979). DOI: 10.1149/1.2129017

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.