Вышедшие номера
Длинноволновые (λ0.1=10 μm, 296 K) инфракрасные фотоприемники на основе твердого раствора InAsSb0.38
Кунков Р.Э.1, Климов А.А.1, Лебедева Н.М.1, Лухмырина Т.С.1, Матвеев Б.А.1, Ременный М.А.1, Усикова А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: romunkov@yandex.ru
Поступила в редакцию: 12 мая 2023 г.
В окончательной редакции: 29 сентября 2023 г.
Принята к печати: 30 октября 2023 г.
Выставление онлайн: 12 января 2024 г.

Исследованы фотоприемники на основе диодной гетероструктуры с фоточувствительной областью из твердого раствора InAsSbx (x = 0.38) с длинноволновой границей фоточувствительности λ0.1 около 10 μm (296 K). Исследованы зависимости плотности темновых токов и обнаружительной способности в интервале температур 200-425 K. Показано, что экспериментальные образцы характеризуются значениями плотности темновых токов около 500 А/сm2 при комнатной температуре, обнаружительной способностью 1.2·109 и 5·109 сmHz1/2W-1 при комнатной температуре и 250 K соответственно и диффузионным механизмом токопротекания в интервале температур 200-350 K. Ключевые слова: длинноволновые фотоприемники, полупроводники AIIIBV, твердые растворы InAsSb, фотодиоды.
  1. A. Rogalski. Infrared Phys. Technol., 54 (3), 136 (2011). DOI: 10.1016/j.infrared.2010.12.003
  2. A. Rogalski, P. Martyniuk, M. Kopytko, W. Hu. Appl. Sci., 11 (2), 501 (2021). DOI: 10.3390/s23177564
  3. D.H. Wu, A. Dehzangi, Y.Y. Zhang, M. Razeghi. Appl. Phys. Lett., 112 (24), 241103 (2018). DOI: 10.1063/1.5035308
  4. A. Rogalsky, M. Kopytko, P. Martyniuk. Antimonide-based infrared detectors (SPIE press, Bellingham, 2018)
  5. N.D. Il'inskaya, S.A. Karandashev, A.A. Lavrov, B.A. Matveev, M.A. Remennyi, N.M. Stus', A.A. Usikova. Infrared Phys. Technol., 88, 223(2018)
  6. R.E. Kunkov, A.A. Klimov, N.M. Lebedeva, T.C. Lukhmyrina, B.А. Matveev, M.А. Remennyy. J. Phys.: Conf. Ser., 1695 (1), 012077 (2020)
  7. A.A. Klimov, R.E. Kunkov, A.A. Lavrov, N.M. Lebedeva, T.C. Lukhmyrina, B.А. Matveev, M.А. Remennyi. J. Phys.: Conf. Ser., 1851 (1), 012019 (2021)
  8. New Semiconductor Materials. Biology systems. Characteristics and Properties [Электронныйресурс]. URL: http://www.matprop.ru/InSb_bandstr

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.