Вышедшие номера
Home » Оптика и спектроскопия » Год 2023, выпуск 8 » Статья стр. 1112
<<<>>>
Влияние пассивации поверхности цилиндрических мезаструктур на основе GaAs на их оптические свойства
DOI: 10.61011/OS.2023.08.56303.4894-23
Российский научный фонд, № 22-72-10002
Министерство образования и науки Российской Федерации, № 075-03-2023-106
Мельниченко И.А. 1,2, Крыжановская Н.В. 1, Иванов К.А. 1, Надточий А.М. 1,3, Махов И.С. 1, Козодаев М.Г. 4, Хакимов Р.Р.4, Маркеев А.М. 4, Воробьев А.А.2, Можаров А.М.2, Гусева Ю.А. 3, Лихачев А.И. 3, Колодезный Е.С. 5, Жуков А.Е. 1
1Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4Московский физико-технический институт (Национальный исследовательский университет), Долгопрудный, Московск. обл., Россия
5Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 мая 2023 г.
В окончательной редакции: 17 мая 2023 г.
Принята к печати: 2 июня 2023 г.
Выставление онлайн: 29 сентября 2023 г.
PDF версия
Исследованы оптические свойства цилиндрических мезаструктур на основе GaAs до и после пассивации, выполненной с применением обработки структур в водородной плазме с последующим атомно-слоевым осаждением слоя Al2O3. В качестве светоизлучающей области мезаструктур использованы квантовая яма In0.2Ga0.8As/GaAs и сверхрешетка GaAs/AlAs. Диаметр мез изменялся от 3 до 20 μm. В результате пассивации получено 8-кратное увеличение интенсивности фотолюминесценции мез диаметром 9 μm при комнатной температуре, а исследования фотолюминесценции таких мезаструктур с разрешением по времени продемонстрировали увеличение времени жизни носителей заряда с 0.13 до 0.9 ns. Ключевые слова: InGaAs, квантовая яма, поверхностная пассивация, атомно-слоевое осаждение. DOI: 10.61011/OS.2023.08.56303.4894-23
  1. P. Laukkanen, M.P.J. Punkkinen, M. Kuzmin, K. Kokko, J. Lang, R.M. Wallace. Appl. Phys. Rev., 8 (1), 011309 (2021). DOI: 10.1063/1.5126629
  2. H. Deng, G.L. Lippi, J. M rk, J. Wiersig, S. Reitzenstein. Adv. Optical Mater., 9 (19), 2100415 (2021). DOI: 10.1002/adom.202100415
  3. S.H. Pan, S.S. Deka, A.El Amili, Q. Gu, Y. Fainman. Progress in Quantum Electronics, 59, 1-18 (2018). DOI: 10.1016/j.pquantelec.2018.05.001
  4. R.T. Ley, J.M. Smith, M.S. Wong, T. Margalith, S. Nakamura, S.P. DenBaars, M.J. Gordon. Appl. Phys. Lett., 116 (25), 251104 (2020). DOI: 10.1063/5.0011651
  5. A. Baca, C. Ashby. Fabrication of GaAs Devices (The Institution of Engineering and Technology, London, 2005). DOI: 10.1049/PBEP006E
  6. M. Boroditsky, I. Gontijo, M. Jackson, R. Vrijen, E. Yablonovitch, T. Krauss, Chuan-Cheng Cheng, A. Scherer, R. Bhat, M. Krames. J. of Appl. Phys., 87 (7), 3497-3504 (2000). DOI: 10.1063/1.372372
  7. T.S. Shamirzaev, K.S. Zhuravlev, A.Yu. Kobitski, H.P. Wagner, D.R.T. Zahn. Phys. B: Condensed Matt., 308, 761-764 (2001). DOI: 10.1016/S0921-4526(01)00831-6
  8. L. Zhou, B. Bo, X. Yan, C. Wang, Y. Chi, X. Yang. Crystals, 8 (5), 226 (2018). DOI: 10.3390/cryst8050226
  9. J. Robertson, Y. Guo, L. Lin. J. Appl. Phys., 117 (11), 112806 (2015). DOI: 10.1063/1.4913832
  10. S. Arab, C. Chi, T. Shi, Y. Wang, D.P. Dapkus, H.E. Jackson, L.M. Smith, S.B. Cronin. ACS Nano, 9 (2), 1336-1340 (2015). DOI: 10.1021/nn505227q
  11. S.R. Lunt, G.N. Ryba, P.G. Santangelo, N.S. Lewis. J. Appl. Physics, 70 (12), 7449-7467 (1991). DOI: 10.1063/1.349741
  12. C.I.H. Ashby, K.R. Zavadil, A.J. Howard, B.E. Hammons. Appl. Phys. Lett., 64 (18), 2388-2390 (1994). DOI: 10.1063/1.111623
  13. M. Oshima, T. Scimeca, Y. Watanabe, H. Oigawa, Y. Nannichi. Jpn. J. Appl. Phys., 32 (1S), 517 (1993). DOI: 10.1143/JJAP.32.518
  14. A. Aierken, J. Riikonen, J. Sormunen, M. Sopanen, H. Lipsanen. Appl. Phys. Lett., 88 (22), 221112 (2006). DOI: 10.1063/1.2208557
  15. J. Schmid, A. Merkle, B. Hoex, M.C.M. Van De Sanden, W.M.M. Kessels, R. Brendel. In: 2008 33rd IEEE Photovoltaic Specialists Conference. (IEEE, 2008), p. 1-5. DOI: 10.1109/PVSC.2008.4922636
  16. A. Paccagnella, A. Callegari, E. Latta, M. Gasser. Appl. Phys. Lett., 55 (3), 259-261 (1989). DOI: 10.1063/1.101922
  17. E. Yoon, R.A. Gottscho, V.M. Donnelly, H.S. Luftman. Appl. Phys. Lett., 60 (21), 2681-2683 (1992). DOI: 10.1063/1.106894
  18. L.E. Black, A. Cavalli, M.A. Verheijen, J.E.M. Haverkort, E.P.A.M. Bakkers, W.M.M. Kessels. Nano Letters, 17 (10), 6287-6294 (2017). DOI: 10.1021/acs.nanolett.7b02972
  19. Z.L. Wang, Z.B. Hao, J.D. Yu, C. Wu, L. Wang, J. Wang, C.Z. Sun, B. Xiong, Y.J. Han, H.T. Li, Y. Luo. J. Phys. Chem. C, 121 (11), 6380-6385 (2017). DOI: 10.1021/acs.jpcc.7b00578

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme