Вышедшие номера
Особенности фотопроводимости и люминесценции тонких пленок CdS и твердых растворов Cd1-xZnxS при лазерном возбуждении
Салманов В.М.1, Гусейнов А.Г.1, Джафаров М.А.1, Maмeдов Р.M.1, Мамедова Т.А.1
1Бакинский государственный университет, Баку, Азербайджан
Email: vagif_salmanov@yahoo.com
Поступила в редакцию: 1 декабря 2021 г.
В окончательной редакции: 19 апреля 2022 г.
Принята к печати: 14 июля 2022 г.
Выставление онлайн: 26 сентября 2022 г.

Экспериментально исследовались особенности фотопроводимости и люминесценции тонких пленок CdS и твердых растворов Cd1-xZnxS, полученных методом химической пульверизации с последующим пиролизом при лазерном возбуждении. В качестве источника излучения были использованы импульсные жидкостной (473-547 nm) и азотный (337 nm) лазеры. Экспериментально исследовались спектры фотопроводимости и фотолюминесценции тонких пленок Cd1-xZnxS в зависимости от состава x при различных интенсивностях возбуждения и кривые релаксации неравновесной фотопроводимости. Показано, что наблюдаемые особенности в спектрах фотопроводимости и фотолюминесценции тонких пленок Cd1-xZnxS обусловлены прямыми зона-зонными переходами. При высоких интенсивностях оптического возбуждения в тонких пленках CdS наблюдается усиление света. Ключевые слова: тонкие пленки CdS, Cd1-xZnxS, лазер, спектры фотопроводимости, фотолюминесценция.
  1. М.Н. Левин, В.Н. Семенов, О.В. Остапенко. Письма в ЖТФ, 28 (10), 19 (2002)
  2. H. Li, X. Wang, J. Xu, Q. Zhang, Y. Bando, D. Golberg, T. Zhai. Advanced Materials, 25 (22), 3017 (2013)
  3. Smriti Thakur, Prasenjit Das, Sanjay K. Mandal. ACS Applied Nano Materials, 3 (6), 5645 (2020). DOI: 10.1021/acsanm.0c00868
  4. M. Kalafi, H. Bidadi, A.I. Bairamov, V.M. Salmanov. Indian J. Phys., 68A (5), 503 (1994)
  5. Y. Al-Douri, A.H. Reshak. Optik --- Intern. J. Light and Electron Optics, 126 (24), 5109 (2015)
  6. S. Ummartyotin, N. Bunnak, J. Juntaro, M. Sain, H. Manuspiya. Solid State Sciences, 14 (3), 299 (2012)
  7. Y.-J. Hsu, S.-Y. Lu, Y.-F. Lin. Advanced Functional Materials, 15 (8), 1350 (2005)
  8. А.С. Батырев, Р.А. Бисенгалиев, Н.К. Шивидов. Вестник Калмыцкого университета, 4 (20), 30 (2013)
  9. А.Г. Кязым-заде, В.М. Салманов, М.А. Джафаров, А.А. Салманова, Р.С. Джафарли. Вестник Бакинского государственного университета, 2, 126 (2016)
  10. R. Marjieh, E. Sabag, A. Hayat. New J. Physics, 18 (2), 023019 (2016)
  11. S. Hegedus, D. Ryan, K. Dobson, B. McCandless, D. Desai. Materials Research Society, 763, B9.5 (2003). DOI: 10.1557/PROC-763-B9.5
  12. Е.К. Волкова, В.И. Кочубей. Изв. Самарского научного центра РАН, 14 (4), 197 (2012)
  13. С.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках (Физ.-мат. литература, М., 1963)
  14. H. J. Queisser, D.E. Theodorou. Phys. Rev. B, 33 (6), 4027 (1986)
  15. K. Senthil, D. Mangalaraj, S.K. Narayandass. Applied Surface Science, 169, 476 (2001)
  16. M.B. Ortuno-Lopez, M. Sotelo-Lerma, A. Mendoza-Galvan, RRami rez-Bon. Vacuum, 76 (2-3), 181 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.