Вышедшие номера
Влияние поляризации считывающей волны и циркулярного дихроизма на дифракционную эффективность отражательной голограммы в кубическом оптически активном фоторефрактивном поглощающем пьезокристалле
Переводная версия: 10.1134/S0030400X21010148
The Ministry of Education of the Republic of Belarus, State Scientific Research Program "Photonics, Opto- and Microelectronics" for 2016–2020, 1.2.01
The Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation, State task for 2020–2023, FEWM-2020-0038/3
Навныко В.Н.1, Шепелевич В.В.1, Шандаров С.М. 2
1Мозырский государственный педагогический университет им. И.П. Шамякина, Мозырь, Республика Беларусь
2Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Томск, Россия
Email: valnav@inbox.ru, vasshep@inbox.ru, stanislavshandarov@gmail.com
Поступила в редакцию: 25 августа 2020 г.
В окончательной редакции: 25 августа 2020 г.
Принята к печати: 8 сентября 2020 г.
Выставление онлайн: 25 октября 2020 г.

В приближении медленно меняющихся амплитуд получена система уравнений связанных волн, пригодная для описания дифракции и взаимодействия эллиптически поляризованных световых волн на объемной фазово-амплитудной голографической решетке, сформированной в кубическом оптически активном фоторефрактивном поглощающем пьезокристалле. Изучена зависимость дифракционной эффективности фазовой отражательной голограммы от эллиптичности считывающей волны и толщины кристалла Bi12SiO20 срезов (001) и (111). Проанализированы закономерности влияния циркулярного дихроизма на дифракционную эффективность фазовой отражательной голограммы. Установлено, что для кристалла среза (001) максимальное значение дифракционной эффективности отражательной голограммы в зависимости от толщины кристалла может достигаться при использовании считывающей волны как с линейной поляризацией, так и с эллиптической поляризацией. Для кристалла среза (111) наибольшая дифракционная эффективность достигается при использовании считывающей волны с линейной поляризацией. Показано, что влияние циркулярного дихроизма на интенсивность восстановленной волны зависит от среза кристалла, эллиптичности считывающей волны и толщины кристалла. Ключевые слова: фоторефрактивный кристалл, отражательная голограмма, дифракционная эффективность, циркулярный дихроизм.
  1. Денисюк Ю.Н. // Докл. АН СССР. 1962. Т. 144. N 6. C. 1275
  2. Денисюк Ю.Н. // Опт. и спектр. 1963. Т. 15. N 4. C. 522
  3. Петров М.П., Степанов С.И., Хоменко. А.В. Фоторефрактивные кристаллы в когерентной оптике. СПб.: Наука, 1992. 320 с
  4. Stepanov S.I. // Rep. Prog. Phys. 1994. V. 57. N 1. P. 39
  5. Изванов А.А., Мандель А.Е., Хатьков Н.Д., Шандаров С.М. // Автометрия. 1986. Т. 2. С. 79
  6. Mandel A.E., Khatkov N.D., Shandarov S.M. // Ferroelectrics. 1988. V. 83. P. 215
  7. Степанов С.И., Шандаров С.М., Хатьков Н.Д. // ФТТ. 1987. Т. 10. С. 3054
  8. Shepelevich V.V., Shandarov S.M., Mandel A.E. // Ferroelectrics. 1990. V. 110. Р. 235
  9. Shepelevich V.V., Egorov N.N., Shepelevich Victor V. // J. Opt. Soc. Am. B. 1994. V. 11. N 8. P. 1394
  10. Шепелевич В.В. // Журн. прикл. спектр. 2011. Т. 78. N 4. С. 493; Shepelevich V.V. // J. Appl. Spectrosc. 2011. V. 78. N 4. P. 461
  11. Мартьянов А.Г., Шандаров С.М., Литвинов Р.В. // ФТТ. 2002. Т. 44. N 6. C. 1006; Mart'yanov A.G., Shandarov S.M., Litvinov R.V. // Phys. of the Solid State. 2002. V. 44. N 6. P. 1050
  12. Шепелевич В.В., Навныко В.Н., Ничипорко С.Ф., Шандаров С.М., Мандель А.Е. // Письма в ЖТФ. 2003. Т. 29. В. 18. С. 22; Shepelevich V.V., Navnyko V.N., Nichiporko S.F., Shandarov S.M., Mandel' A.E. // Tech. Phys. Lett. 2003. V. 29. N 9. P. 757
  13. Шандаров С.М., Буримов Н.И., Кульчин Ю.Н., Ромашко Р.В., Толстик А.Л., Шепелевич В.В. // Квант. электрон. 2008. Т. 38. N 11. С. 1059; Shandarov S.M., Burimov N.I., Kul'chin Yu.N., Romashko R.V., Tolstik A.L., Shepelevich V.V. // Quant. Electron. 2008. V. 38. N 11. P. 1059
  14. Шепелевич В.В., Макаревич А.В., Шандаров С.М. // Письма в ЖТФ. 2014. Т. 40. В. 22. С. 83; Shepelevich V.V., Makarevich A.V., Shandarov S.M. // Tech. Phys. Lett. 2014. V. 40. N 11. P. 1024
  15. Макаревич А.В., Шепелевич В.В., Шандаров С.М. // ЖТФ. 2017. Т. 87. В. 5. С. 766; Makarevich A.V., Shepelevich V.V., Shandarov S.M. // Tech. Phys. 2017. V. 62. N 5. P. 785
  16. Плесовских А.М., Шандаров С.М., Мартьянов А.Г., Мандель А.Е., Буримов Н.И., Шаганова Е.А., Каргин Ю.Ф., Волков В.В.,   Егорышева А.В. // Квант. электрон. 2005. Т. 35. N 2. С. 163; Plesovskikh A.M., Shandarov S.M., Mart'yanov A.G., Mandel' A.E., Burimov N.I., Shaganova E.A., Kargin Yu.F., Volkov V.V., Egorysheva A.V. // Quant. Electron. 2005. V. 35. N 2. P. 163
  17. Бурков В.И., Каргин Ю.Ф., Кизель В.А., Ситникова В.И., Скориков В.М. // Письма в ЖЭТФ. 1988. Т. 38. N 7. С. 326; Burkov V.I., Kargin Yu.F., Kizel' V.A., Sitnikova V.I., Skorikov V.M. // JEPT Lett. 1983. V. 38. N 7. P. 390
  18. Бокуть Б.В., Митюрич Г.С., Шепелевич В.В. // Докл. АН БССР. 1979. Т. 23. N 6. С. 507
  19. Khomutovski P.P., Shepelevich V.V. // Proc. SPIE. 1998. V. 3347. P. 84
  20. Фирсов А.А., Шепелевич В.В. // Веснiк Мазырскага дзяржаvyнага педагагiчнага vyнiверсiтэта. 2005. N 1. С. 21. 
  21. Kukhtarev N.V., Markov V.B., Odulov S.G., Soskin M.S., Vinetskii V.L. // Ferroelectrics. 1979. V. 22. P. 949
  22. Шандаров С.М., Шепелевич В.В., Хатьков Н.Д. // Опт. и спектр. 1991. Т. 70. N 5. С. 1068; Shandarov S.M., Shepelevich V.V., Khatkov N.D. // Opt. Spectrosc. 1991. V. 70. N 5. P. 627
  23. Александров К.С., Бондаренко В.С., Зайцева М.П., Сорокин Б.П., Кокорин Ю.И., Зражевский В.М., Соболев Б.В. // ФТТ. 1984. Т. 26. N 12. С. 3603
  24. Бабонас Г.А., Реза А.А., Леонов Е.И., Шандарис В.И. // ЖТФ. 1985. Т. 55. N 6. С. 1203
  25. Woods C.L., Matson C.L., Salour M.M. // Appl. Phys. A. 1986. V. A40. P. 177
  26. Solymar L., Webb D.J., Grunnet-Jepsen A. The Physics and Applications of Photorefractive Materials. Oxford: Clarendon press, 1996. 493 p

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.