Вышедшие номера
Излучение в дальней зоне элементарного излучателя, расположенного на границе плоскослоистой структуры
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Государственная программа Российской Федерации «Научно-технологическое развитие Российской Федерации», 2020-1902-01-315
Петрин А.Б. 1
1Объединенный институт высоких температур РАН, Москва, Россия
Email: a_petrin@mail.ru
Выставление онлайн: 21 сентября 2020 г.

Рассмотрена строгая теория нахождения излучения в дальней зоне элементарного диполя, расположенного на границе или внутри плоскослоистой структуры. Подробно рассмотрен частный случай излучения элементарного диполя, расположенного на свободной границе одной пленки, предложен эффективный метод нахождения поля излучения в дальней зоне в окружающих полупространствах. Получены диаграммы направленности точечных излучателей (молекул, наноструктур), расположенных на свободной поверхности металлической пленки в схеме Кречмана и имеющих индуцированный дипольный момент, направленный параллельно или перпендикулярно поверхности пленки. Ключевые слова: нанофокусировка, поверхностные плазмоны, оптические сенсоры.