Вышедшие номера
Home » Оптика и спектроскопия » Год 2020, выпуск 10 » Статья стр. 1467
<<<>>>
Оптические свойства тонких пленок SiOx (x<2), полученных обработкой термического диоксида кремния в водородной плазме
DOI: 10.21883/OS.2020.10.50016.12-20
Переводная версия: 10.1134/S0030400X20100173
Российский научный фонд, 19-19-00286
Кручинин В.Н.1, Перевалов Т.В.1,2, Алиев В.Ш.1,3, Исхакзай Р.М.Х.1, Спесивцев Е.В.1, Гриценко В.А.1,2, Пустоваров В.А.4
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
3Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
4Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
Email: kruch@isp.nsc.ru
Выставление онлайн: 22 июля 2020 г.
PDF версия
Методами эллипсометрии, квантово-химического моделирования и фотолюминесцентной спектроскопии проведено исследование оптических свойств и состава тонких плeнок термического оксида кремния, обработанных в водородной плазме электрон-циклотронного резонанса. Установлено, что обработка плeнок в плазме приводит к их обеднению кислородом и образованию нестехиометрического оксида SiOx<2. Путeм сопоставления экспериментальной спектральной зависимости показателя преломления с теоретически рассчитанной из первых принципов определены значения параметра x в полученных плeнках SiOx. Показано, что увеличение времени обработки термического SiO2 в водородной плазме приводит к увеличению показателя преломления плeнки, а также степени обеднения плeнки кислородом. Для исследуемых плeнок построена зависимость параметра x от времени обработки в водородной плазме. Ключевые слова: оксид кремния, эллипсометрия, фотолюминесценция, квантово-химическое моделирование.
  1. Гриценко В.А., Исламов Д.Р. Физика диэлектрических плeнок: механизмы транспорта заряда и физические основы приборов памяти. Новосибирск: Параллель, 2017. 352 с
  2. Zidan M.A., Strachan J.P., Lu W.D. // Nat. Electron. 2018. V. 1. P. 22-29
  3. Choi S., Lee J., Kim S., Lu W.D. // Appl. Phys. Lett. 2014. V. 105. N 11. P. 113510(1-5). doi 10.1063/1.4896154
  4. Van Duy N., Jung S., Kim K., Son D.N., Nga N.T., Cho J., Choi B., Yi J. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2010. V. 43. N 7. P. 075101(1-5). doi 10.1088/0022-3727/43/7/075101
  5. Park N.M., Choi C.J., Seong T.Y., Park S.J. // Phys. Rev. Lett. 2001. V. 86. P. 1355-1357. doi 10.1103/PhysRevLett.86.1355
  6. Perevalov T.V., Gritsenko V.A. // Phys. Usp. 2010. V. 53. P. 561-575. doi 10.3367/UFNe.0180.201006b.0587
  7. Kistner J., Schubert M.B. // J. Appl. Phys. 2013. V. 114. N 19. P. 193505(1-6). doi 10.1063/1.4829285
  8. Vazquez-Valerdi D.E., Luna-Lopez J.A., Carrillo-Lopez J., Garci a-Salgado G., Beni tez-Lara A., Espinosa-Torres N.D. // Nanoscale Research Letters. 2014. V. 9 (1). P. 422-430. doi 10.1186/1556-276X-9-422
  9. Литвиненко В.В., Родионов В.Е., Родионова Н.А., Шмидко И.Н. // ФИП. 2011. Т. 9 (4). С. 346-349
  10. Алиев В.Ш., Вотенцов В.Н., Гутаковский А.К., Марошина С.М., Щеглов Д.В. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2007. Т. 8. С. 1-9
  11. Аверкин С.Н., Валиев К.А., Кошкин В.В., Орликовский А.А., Руденко К.В., Суханов Я.Н. // Микроэлектроника. 1999. Т. 28 (6). С. 427-433
  12. Rykhlitskii S.V., Spesivtrev E.V., Shvets V.A., Prokopiev V.Yu. // Pribory Tekhn. Experimenta. 2012. V. 2. P. 161-162 (in Russian)
  13. Гриценко В.А., Кручинин В.Н., Просвирин И.П., Новиков Ю.Н., Чин А., Володин В.А. // ЖЭТФ. 2019. Т. 159. Вып. 5 (11). С. 1003-1015. doi 10.1134/S0044451019110166
  14. Кручинин В.Н., Володин В.А., Перевалов Т.В., Герасимова А.К., Алиев В.Ш., Гриценко В.А. // Опт. и спектр. 2018. Т. 124. Вып. 6. С. 777-782. doi 10.21883/0000000000
  15. Adachi S. Optical Constants of Crystalline and Amorphous Semiconductors: Numerical Data and Graphical Information. Springer Science \& Business Media, 1999
  16. Spesivtsev E.V., Rykhlitskii S.V., Shvets V.A. // Optoelectroniocs, Instrumentation and Data Processing. 2011. V. 47. N 5. P. 419-425. doi 10.3103/S8756699011050219
  17. Tao Y., Huang Y., Gao Z., Zhuang H., Zhou A., Tan Y., Li D., Sun S. // J. Synchrotron Radiat. 2009. V. 16. P. 857-863. doi 10.1107/S0909049509037236
  18. Giannozzi P., Andreussi O., Brumme T., Bunau O., Buongiorno Nardelli M., Calandra M., Car R., Cavazzoni C., Ceresoli D., Cococcioni M., Colonna N., Carnimeo I., Dal Corso A., de Gironcoli S., Delugas P., DiStasio R.A., Ferretti A., Floris A., Fratesi G., Fugallo G., Gebauer R., Gerstmann U., Giustino F., Gorni T., Jia J., Kawamura M., Ko H.Y., Kokalj A., Kucukbenli E., Lazzeri M., Marsili M., Marzari N., Mauri F., Nguyen N.L., Nguyen H.V., Oterode-la-Roza A., Paulatto L., Ponce S., Rocca D., Sabatini R., Santra B., Schlipf M., Seitsonen A.P., Smogunov A., Timrov I., Thonhauser T., Umari P., Vast N., Wu X., Baroni S. // J. Phys. Condens. Mater. 2017. V. 29. N 46. P. 465901. doi 10.1088/1361-648X/aa8f79
  19. Кручинин В.Н., Перевалов Т.В., Камаев Г.Н., Рыхлицкий С.В., Гриценко В.А. // Опт. и спектр. 2019. Т. 127. Вып. 5. С. 769-773. doi 10.21883/0000000000
  20. Skuja L. // J. Non-Cryst. Solids. 1998. V. 239. P. 16-48. doi 10.1016/S0022-3093(98)00720-0
  21. Imai H., Arai K., Imagawa H. // Phys. Rev. B. 1988. V. 38. P. 12772(1-7). doi 10.1364/OE.20.014494
  22. Tohmon R., Shimogaichi Y., Mizuno H., Ohki Y., Nagasawa K., Hama Y. // Phys. Rev. Lett. 1989. V. 62. P. 1388. doi 10.1103/PhysRevLett.62.1388
  23. Agnello S., Boscaino R., Cannas M., Gelardi F.M., Leone M., Boizot B. // Phys. Rev. B. 2003. V. 67. P. 033202(1-5). doi 10.1103/PhysRevB.67.033202
  24. Kortov V.S., Zatsepin A.F., Pustovarov V.A., Chudinov A.A., Biryukov D.Yu. // Radiation Measurements. 2007. V. 42. P. 891-893. doi 10.1016/j.radmeas.2007.02.041
  25. Pacchioni G., Ierano G. // Phys. Rev. B. 1998. V. 57. P. 818
  26. Lopez N., Illas F. Pacchioni G. // J. Phys. Chem. B. 2000. V. 104. N 23. P. 5471-5477. doi 10.1021/jp000284+

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme