Вышедшие номера
Home » Оптика и спектроскопия » Год 2020, выпуск 9 » Статья стр. 1318
<<<>>>
Особенности спектрально-разрешенной термолюминесценции в облученных микрокристаллах нитрида алюминия
DOI: 10.21883/OS.2020.09.49872.43-20
Переводная версия: 10.1134/S0030400X20090210
Минобрнауки РФ, FEUZ-2020-0059
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), Конкурс проектов 2018 года фундаментальных научных исследований, выполняемых молодыми учеными (Мой первый грант), 18-32-00550
Правительство Российской Федерации , Постановление 211 Проект 5-100, 02.A03.21.0006
Спиридонов Д.М. 1, Чайкин Д.В. 1, Мартемьянов Н.А.1, Вохминцев А.С. 1, Вайнштейн И.А. 1,2
1НОЦ НАНОТЕХ, Уральский федеральный университет, Екатеринбург, Россия
2Институт металлургии Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
Email: d.m.spiridonov@urfu.ru, d.v.chaikin@urfu.ru, n.a.martemianov@urfu.ru, a.s.vokhmintsev@urfu.ru, i.a.weinstein@urfu.ru
Выставление онлайн: 24 июня 2020 г.
PDF версия
Исследованы закономерности процессов фото- и термолюминесценции в субмикронных кристаллах AlN с катионным дефицитом после возбуждения УФ излучением. Наблюдаемые спектры свечения представляют собой суперпозицию полос с максимумами при 3.0 и 2.5 eV. Указанные спектральные особенности обусловлены электронными переходами с участием примесных ON и кислород-вакансионных центров типа (VAl-ON). Центры захвата носителей заряда на основе азотных вакансий VN, согласно количественному анализу в рамках описания кинетических процессов общего порядка, имеют энергию активации 0.45 eV и отвечают за формирование термоактивационного пика при температуре 345 K. Ключевые слова: AlN, фотолюминесценция, термолюминесценция, энергия активации, кислород-связанный центр, вакансия.
  1. Oyama S.T. The Chemistry of Transition Metal Carbides and Nitrides. London: Springer, Blackie Academic \& Professional, London, 1996. Р. 28--52
  2. Giordano C., Antonietti M. // Nano Today. 2011. V. 6. 4. P. 366. doi 10.1016/j.nantod.2011.06.002
  3. Vokhmintsev A.S., Weinstein I.A., Spiridonov D.M. // J. Lumin. 2012. V. 132. P. 2109. doi 10.1016/j.jlumin.2012.03.066
  4. Вохминцев А.С., Вайнштейн И.А., Спиридонов Д.М., Бекетов Д.А., Бекетов А.Р. // Письма в ЖТФ. 2012. Т. 38. N 4. С. 10. doi 10.1134/S1063785012020319; Vokhmintsev A.S., Weinstein I.A., Spiridonov D.M., Beketov D.A., Beketov A.R. // Tech. Phys. Lett. 2012. V. 38. N 2. P. 160. doi 10.1134/S1063785012020319
  5. Vokhmintsev A., Weinstein I., Spiridonov D. // Phys. Status Solidi C. 2013. V. 10. N 3. P. 457. doi 10.1002/pssc.201200519
  6. Mogilatenko A., Knauer A., Zeimer U., Netzel C., Jeschke J., Unger R.-S., Hartmann C., Wollweber J., Dittmar A., Juda U., Weyers M., Bickermann M. // J. Cryst. Growth. 2019. V. 505. P. 69. doi 10.1016/j.jcrysgro.2018.10.021
  7. Demol G., Paulmier T., Payan D. // J. Appl. Phys. 2019. V. 125. N 2. P. 025110. doi 10.1063/1.5066434
  8. Taniyasu Y., Kasu M., Makimoto T. // Nature 2006. V. 441. N 7091. P. 325. doi 10.1038/nature04760
  9. Jung H., Xiong C., Fong K.Y., Zhang X., Tang H.X. // Opt. Lett. 2013. V. 38. N 15. P. 2810. doi 10.1364/OL.38.002810
  10. Shen L., Lv W., Wang N., Wu L., Qi D., Ma Y., Lei W. // CrystEngComm. 2017. V. 19. N 39. P. 5940. doi 10.1039/C7CE01335C
  11. Zhao S., Nguyen H.P.T., Kibria M.G., Mi Z.// Prog. Quantum Electron. 2015. V. 44. P. 14. doi 10.1016/j.pquantelec.2015.11.001
  12. Genji K., Uchino T. // Appl. Phys. Lett. 2016. V. 109. P. 021113. doi 10.1063/1.4958891
  13. Weinstein I.A., Vokhmintsev A.S., Chaikin D.V., Afonin Yu.D. // Opt. Mater. 2016. V. 61. P. 111. doi 10.1016/j.optmat.2016.05.054
  14. Shen L., Zhang X., Song J., Li F., Qi D. // J. Mater. Sci.-Mater. Electron. 2016. V. 27. P. 12017. doi 10.1007/s10854-016-5349-9
  15. Lu H., Schaff W.J., Hwang J., Wu H., Koley G., Eastman L.F. // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 79. N 10. P. 1489
  16. Gregory O.J., Slot A.B., Amons P.S., Crisman E.E. // Surf. Coat. Technol. 1997. V.88. N 1--3. P. 79
  17. Tsubouchi K., Mikoshiba N. // IEEE Trans. Son. Ultrason. 1985. V. 32. N 5. P. 634
  18. Fujieda S., Mizuta M., Matsumoto Y. // Adv. Mater. Opt. Electron. 1996. V. 6. N 3. P. 127
  19. Liu J., Zhang X., Zhang Y., He R., Zhu J. // J. Mater. Res. 2001. V. 16. N 11. P. 3133. doi 10.1557/JMR.2001.0432
  20. Zhang Y., Liu J., He R., Zhang Q., Zhang X., Zhu J. // Chem. Mat. 2001. V. 13. N 11. P. 3899. doi 10.1021/cm001422a
  21. Tondare V.N., Balasubramanian C., Shende S.V., Joag D.S., Godbole V.P., Bhoraskar S.V., Bhadbhade M. // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 80. N 25. P. 4813. doi 10.1063/1.1482137
  22. Bickermann M., Epelbaum B.M., Filip O., Heimann P., Nagata S., Winnacker A. // Phys. Status Solidi B. 2009. V. 246. N 6. P. 1181. doi 10.1002/pssb.200880753
  23. Shen L., Wang N., Xiao X. // Mater. Lett. 2013. V. 94. P. 150. doi 10.1016/j.matlet.2012.12.042
  24. Choudhary R.K., Soni A., Mishra P., Mishra D.R., Kulkarni M.S. // J. Lumin. 2014. V. 155. P. 32. doi 10.1016/j.jlumin.2014.06.016
  25. Vokhmintsev A.S., Weinstein I.A., Chaikin D.V., Spiridonov D.M., Afonin Yu.D. // Funct. Mater. 2014. V. 21. N 1. P. 21. doi 10.15407/fm21.01.021
  26. Чайкин Д.В., Афонин Ю.Д., Вайнштейн И.А., Вохминцев А.С., Шульгин Д.В. Заявка на изобретение РФ N 2019112096, 2018; Chaikin D.V., Afonin Yu.D., Weinstein I.A., Vokhmintsev A.S., Shulgin D.B. Russian Federation Patent application N 2019112096, 2018
  27. Spiridonov D.M., Weinstein I.A., Chaikin D.V., Vokhmintsev A.S., Afonin Yu.D., Chukin A.V. // Radiat. Meas. 2019. V. 122. P. 91. doi 10.1016/j.radmeas.2019.02.001
  28. Vokhmintsev A.S., Minin M.G., Chaykin D.V., Weinstein I.A. // Instrum. Exp. Tech. 2014. V. 57. N 3. P. 369. doi 10.1134/S0020441214020328
  29. Vokhmintsev A.S., Minin M.G., Henaish A.M.A., Weinstein I.A. // Measurement. 2015. V. 66. P. 90. doi 10.1016/j.measurement.2015.01.012
  30. Chaikin D.V., Spiridonov D.M., Vokhmintsev A.S., Martemyanov N.A., Weinstein I.A. // AIP Conf. Proc. 2019. V. 2174. P. 020091. doi 10.1063/1.5134242
  31. Гурвич А.М. Введение в физическую химию кристаллофосфоров. Учеб. пособие для втузов. М.: Высшая школа, 1971. 336 с
  32. Pasrtv nak J., Pav cesova S., Roskovcova L. // Czech. J. Phys. 1974. V. 24. P. 1149
  33. Thapa S.B., Hertkorn J., Scholz F., Prinz G.M., Leute R.A.R., Feneber M., Thonke K., Sauer R., Klein O., Biskupek J., Kaiser U. // J. Cryst. Growth. 2008. V. 310. P. 4939. doi 10.1016/j.jcrysgro.2008.07.091
  34. Nam K.B., Nakarmi M.L., Lin J.Y., Jiang H.X. // Appl. Phys. Lett. 2005. V. 86. P. 222108. doi 10.1063/1.1943489
  35. Koyama T., Sugawara M., Hoshi T., Uedono A., Kaeding J.F., Sharma R., Nakamura S., Chichibu S.F. // Appl. Phys. Lett. 2007. V. 90. P. 241914. doi 10.1063/1.2748315
  36. Koppe T., Hofsass H., Vetter U. // J. Lumin. 2016. V. 178. P. 267. doi 10.1016/j.jlumin.2016.05.055
  37. Cao Y.G., Chen X.L., Lan Y.C., Li J.Y., Xu Y.P., Xu T., Liu Q.L., Liang J.K. // J. Cryst. Growth. 2000. V. 213. P. 198. doi 10.1016/S0022-0248(00)00379-1
  38. Weinstein I.A., Vokhmintsev A.S., Spiridonov D.M. // Diam. Relat. Mat. 2012. V. 25. P. 59. doi 10.1016/j.diamond.2012.02.004
  39. Nappe J.C., Benabdesselam M., Grosseau Ph., Guilhot D. // Nucl. Instrum. Meth. B. 2011. V. 269. P. 100. doi 10.1016/j.nimb.2010.10.025
  40. Chen R., McKeever S.W.S. Theory of Thermoluminescence and Related Phenomena. World Scientific, Singapore City. 1997. 559 p.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme