Оптика и спектроскопия

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2 3
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Комбинационное рассеяние света в кремнии с нарушенной кристаллической структурой за счет имплантации ионов углерода

DOI: 10.21883/OS.2020.08.49707.70-20

Переводная версия: 10.1134/S0030400X20080135

Иго А.В.¹

¹Ульяновский государственный университет, г. Ульяновск, Россия Ulyanovsk State University, Ulyanovsk, Russia

Email: igoalexander@mail.ru

Выставление онлайн: 24 мая 2020 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Зарегистрированы спектры комбинационного рассеяния света в кремнии с нарушенной кристаллической решеткой за счет имплантации ионов углерода энергией 40 keV и дозой 5· 10¹⁶ сm^-2. Измерены параметры спектральной линии комбинационного рассеяния света имплантированных образцов после проведения термического отжига в диапазоне температур 600-1150^oС. В результате измерений определена доля кристаллической фазы в зависимости от температуры отжига. Выявлены два термодинамических процесса, описывающие кинетику восстановления кристаллической решетки при отжиге. Показано, что слой кремния с нарушенной кристаллической решеткой при термическом отжиге восстанавливает свою кристалличность не одновременно во всем объеме, а в виде кластеров, которые с увеличением температуры отжига укрупняются. Проведены оценки размеров кристаллических кластеров для различных температур отжига. Проведенные расчеты учитывают сложную зависимость коэффициента поглощения света частично нарушенной кристаллической решетки от доли кристаллической фазы, возникающей в ней в процессе термического отжига. Ключевые слова: комбинационное рассеяние света, кремний, нанокристаллы, ионная имплантация, отжиг, аморфная фаза.

Вавилов В.С., Челядинский А.Р. // УФН. 1995. Т. 165. N 3. С. 348
Нусупов К.Х., Бейсенханов Н.Б., Жариков С.К., Бейсембетов И.К., Кенжалиев Б.К., Ахметов Т.К., Сейтов Б.Ж. // ФТТ. 2014. Т. 65. N 11. С. 2231
Баязитов Р.М., Хайбуллин И.Б., Баталов Р.И., Нурутдинов Р.М. // ЖТФ. 2003. Т. 63. N 6. С. 82
Горелик В.С., Сущинский М.М, Хашимов Р.Н. // Труды ФИАН. 1987. Т. 180. С. 127
Маслова Н.Е., Антоновский А.А., Жигунов Д.М., Тимошенко В.Ю., Глебов В.Н., Семиногов В.Н. // ФТП. 2010. Т. 44. N 8. С. 1074
Емельянов А.В., Казанский А.Г., Кашкаров П.К., Коньков О.И., Теруков Е.И., Форш П.А., Хенкин М.В., Кукин А.В., Beresna M., Kazansky P. //ФТП. 2012. Т. 46. N 6. С. 769
Володин В.А., Сачков В.А. // ЖЭТФ. 2013. T. 143. N 1. C.100
Иго А.В. // Опт. и спектр. 2016. Т. 120. N 4. С. 556
Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М.: Мир, 1974. 472 с
Артамонов В.В., Валах М.Я, Киршт Ф., Клюй Н.И., Литовченко В.Г., Нечипорук Б.Д., Романюк Б.Н. // ФТП. 1991. Т. 25. N 10. С. 1704
Bracht Н., Haller E.E. // Phys. Rev. Lett. 1999. V. 81. N 2. P. 393
Cody G.D., Tiedje T., Abeles B., Brooks B., Goldstein Y. // Phys. Rev. Lett. 1981. V. 47. N 20. P. 1480
Arora A.K., Rajalakshmi M., Ravindran T.R., Sivasubramanian V.J. // J. Raman Spectrosc. 2007. V. 38. P. 604
Faraci G., Gibelisco S., Russo P., Pennisi A.R., Rosa S.L. // Phys. Rev. B. 2006. V. 73. P. 033307
Igo A.V. // Наносистемы: физика, химия, математика. 2018. T. 9. N 1. C. 132
Zhigunov D.M., Kamaev G.N., Kashkarov P.K., Volodin V.A. // Appl. Phys. Lett. 2018. V. 113. P. 023101

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель