Оптика и спектроскопия

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Оптическое усиление в лазерных гетероструктурах с активной областью на основе короткопериодной сверхрешетки InGaAs/InGaAlAs

DOI: 10.21883/OS.2019.12.48693.124-19

Переводная версия: 10.1134/S0030400X19120099

Министерство науки и высшего образования России , Федеральная целевая программа «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014–2020 годы», № 14.578.21.0253 от 26.09.2017 г., уникальный идентификатор RFMEFI57817X0253

Карачинский Л.Я.

¹, Новиков И.И.

², Бабичев А.В.

², Гладышев А.Г.

², Колодезный Е.С.

², Рочас С.С.

², Курочкин А.С.

², Бобрецова Ю.К.³, Климов А.А.³, Денисов Д.В.⁴, Воропаев К.O.^5,6, Ионов А.С.⁶, Бугров В.Е.

², Егоров А.Ю.

¹ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия Connector Optics LLC, St. Petersburg, Russia

²Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия ITMO University, St. Petersburg, Russia

³Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

⁴Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

⁵Новгородский государственный университет им. Ярослава Мудрого, Великий Новгород, Россия Yaroslav-the-Wise Novgorod State University, Veliky Novgorod, Russia

Yaroslav-the-Wise Novgorod State University, Veliky Novgorod, Russia

⁶АО «ОКБ-Планета», Великий Новгород, Россия OAO OKB-Planeta, Veliky Novgorod, Russia

Email: evgenii_kolodeznyi@corp.ifmo.ru

Выставление онлайн: 19 ноября 2019 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Предложена и реализована конструкция активной области на основе сверхрешетки InGaAs/InGaAlAs для лазерных диодов спектрального диапазона 1535-1565 nm. Показано, что использование сверхрешетки позволяет увеличить модальное усиление при равных значениях плотности тока накачки в сравнении с типичной конструкцией активной области на основе набора квантовых ям InGaAs. Ключевые слова: молекулярно-пучковая эпитаксия, вертикально-излучающий лазер, гетероструктура, активная область, квантовая яма, сверхрешетка.

Alferov Z.I. // Semiconductors. 1998. V. 32. P. 1-14. doi 10.1134/1.1187350
Park G. et al. // IEEE Photonics Technol. Lett. 2000. V. 12. N 3. P. 230-232. doi 10.1109/68.826897
Ortsiefer M. et al. // Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers XVI, SPIE OPTO. San Francisco, 2012. P. 82760A
Babichev A.V. et al. // IEEE J. Quant. Electron. 2017. V. 53. N 6. P. 1-8. doi 10.1109/JQE.2017.2752700
Бабичев А.В. и др. Гетероструктура вертикально-излучающего лазера: пат. 188629 RU. Россия, 2019
Spiga S. et al. // 5th IEEE Photonics Soc. Opt. Interconnects Conf. OI 2016. 2016. P. 14-15
Kolodeznyi E.S. et al. // Opt. Spectrosc. 2018. V. 125. N 2. P. 238-242. doi 10.1134/S0030400X18080143
Casey H.C., Panish M.B. Heterostructure Lasers: Part B. Academic P. N. Y.: Academic press, 1978. 336 p
Coldren L.A., Corzine S.W., Mashanovitch M.L. Diode Lasers and Photonic Integrated Circuits. N. Y.: John Wiley \& Sons, 2012. 744 p

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель