Вышедшие номера
Home » Оптика и спектроскопия » Год 2018, выпуск 8 » Статья стр. 191
<<<>>>
Влияние погружения слоев пористого кремния в водные растворы Fe(NO3)3 на фотолюминесценцию в процессе длительного хранения
DOI: 10.21883/OS.2018.08.46358.81-18
Переводная версия: 10.1134/S0030400X18080064
Галкин Н.Г.1, Ян Д.Т.2, Галкин К.Н.1, Боженко М.В.1
1Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения РАН, Владивосток, Россия
2Дальневосточный государственный университет путей сообщения, Хабаровск, Россия
Email: dmitry_yan@mail.ru
Выставление онлайн: 20 июля 2018 г.
PDF версия
Взаимодействие пористого кремния (PS) с водными растворами Fe(NO3)3 с различной молярной (М) концентрацией приводит к внедрению ионов железа в поры кремния (PS-Fe), образованию различной толщины адсорбированных покрытий железа и повышению стабильности слоев PS, что актуально для разработки приборных структур на основе PS. При обработке слоев PS растворами методом погружения необходимо определить его влияние на спектральный состав излучения, интенсивность фотолюминесценции (PL) и кинетику ее изменения при длительном хранении в атмосферных условиях. При обработке свежеприготовленного PS в водных растворах Fe(NO3)3 методом погружения установлено, что при кратковременном хранении (сроком до 5 дней) образцов PS наблюдается рост интенсивности PL в 7.5 раз при малой (0.2 М) и в 3-3.6 раза при большой (0.7-0.8 М) концентрации Fe(NO3)3 по сравнению с интенсивностью PL необработанного слоя PS. После длительного хранения (4 месяца) отмечен значительный рост (8-18 раз) интенсивности PL для образцов PS-Fe с концентрациями 0.1-0.2 М и 0.7-0.8 М с сохранением положения пика PL по сравнению с необработанным PS. Однако при концентрации Fe(NO3)3 0.3 М обнаружено снижение интенсивности PL и "голубой" сдвиг пика PL, что объясняется неполным закрытием поверхности PS адсорбированным слоем железа. Проведен анализ кинетики спектров PL при длительном хранении, предложена модель для объяснения интенсивности и спектрального состава PL. -18
  1. Canham L.T., Houlton M.R., Leong W.Y., Pickering C., Keen J.M. // J. Appl. Phys. 1991. V. 70. N 1. P. 422
  2. Koyama H., Nakagawa T., Ozaki T., Koshida N. // Appl. Phys. Lett. 1994. V. 65. N 13. P. 1656
  3. Lin C.H., Lee S.C., Chen Y.F.J. // Appl. Phys. 1994. V. 75. N 12. P. 7728
  4. Songyan C., Kashkarov P.K., Timoshenko V.Y., Baolin L., Bingxi J. // J. Cryst. Growth. 2003. V. 247. N 3-4. P. 445
  5. Бондаренко В.П., Яковцева В.А., Долгий Л.Н., Ворозов Н.Н., Казючиц Н.М., Цыбесков Л., Фуше Ф. // Письма в ЖТФ. 1999. N 17. С. 69
  6. Беляков Л.В., Горячев Д.Н., Сресели О.М. // ФТП. 2000. N 11. С. 1386
  7. Примаченко В.Е., Кононец Я.Ф., Булах Б.М., Венгер Е.Ф., Каганович Э.Б., Кизяк И.М., Кириллова С.И., Манойлов Э.Г., Цыркунов Ю.А. // ФТП. 2005. N 5. С. 595
  8. Викулов В.А., Маслов А.М., Димитриев А.А., Коробцов В.В. // Опт. и спектр. 2010. Т. 108. N 1. С. 75
  9. Ян Д.Т. // Оптический журнал. 2013. Т. 80. N 7. С. 21
  10. Ян Д.Т., Галкин Н.Г. // Опт. и спектр. 2015. Т. 119. N 5. С. 741-744
  11. Ян Д.Т., Галкин Н.Г. // Опт. и спектр. 2017. Т. 122. N 6. С. 960-968
  12. Koyama H., Nakagawa T., Ozaki T., Koshida N. // Appl. Phys. Lett. 1994. V. 65. N 13. P. 1656
  13. Zhao Y., Li D., Sang W., Yang D. // Sol. State Electron. 2006. V. 50. N 9-10. P. 1529
  14. Kim D.A., Im S.I., Whang C.M., Cho W.S., Yoo Y.C., Cho N.H., Kim J.G., Kwon Y.J. // Appl. Surf. Sci. 2004. V. 230. N 1-4. P. 125
  15. Wadayama T., Arigane T., Hatta A. // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 73. N 18. P. 2570
  16. Elhouichet H., Oueslati M., Bessais B., Ezzaouia H. // J. Luminesc. 1997. V. 71. N 1. P. 77
  17. Choi S.H., Chung H. Shin G.S. // Solid State Commun. 1995. V. 95. N 6. P. 341
  18. Tischler M.A., Collins R.T., Stathis J.H., Tsang J.C. // Appl. Phys. Lett. 1992. V. 60. N 5. P. 639
  19. Li X.J., De Zhu I., Chen Q.W., Zhang Y.H. // Appl. Phys. Lett. 1999. V. 74. N 3. P. 389
  20. Кашкаров В.М., Леньшин А.С., Агапов Б.Л., Турищев С.Ю., Домашевская Э.П. // Письма в ЖТФ. 2009. N 17. С. 89
  21. Zhu D., Chen Q., Zhang Y. // Appl. Surf. Sci. 2002. V. 191. N 1-4. P. 218
  22. Lee D.Y., Park J.W., Leem J.Y., Kim J.S., Kang S.K., Son J.C., Kang H.B., Mun Y.H., Lee D.K., Kim D.H., Bae I.H. // J. Crystal Growth. 2004. V. 260. N 3-4. P. 394
  23. Bisi O., Ossicini S., Pavesi L. // Surf. Sci. Rep. 2000. V. 38. N 1-3. P. 1
  24. Garbanyuk T.I., Evtukh A.A., Litovchenko V.G., Solnsev V.S., Pakhlov E.M. // Thin Solid Films. 2006. V. 495. N 1-2. P. 134
  25. Parler C.M., Ritter J.A., Amiridis M.D. // J. Non-Cryst. Solids. 2001. V. 279. N 1. P. 119
  26. Hamadache F., Renaux C., Duvail J.-L., Bertrand P. //Phys. Status Solidi (a). 2003. V. 197. N 1. P. 168
  27. Rahmani M., Moadhen A., Zaibi M.-A., Elhouichet H., Oueslati M. // J. Luminesc. 2008. V. 128. N 11. P. 1763
  28. Haddadi I., Amor S.B., Bousbih R., Whibi S.E., Bardaoui A., Dimassi W., Ezzaaouia H. // J. Luminesc. 2016. V. 173. P. 257

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme