Вышедшие номера
Home » Оптика и спектроскопия » Год 2018, выпуск 5 » Статья стр. 635
<<<>>>
Люминесценция квантовых точек CdS : Ag в матрице полиметилметакрилата
DOI: 10.21883/OS.2018.05.45944.292-17
Переводная версия: 10.1134/S0030400X1805020X
Смагин В.П. 1, Еремина Н.С. 2, Скачков А.Г.1
1Алтайский государственный университет, Барнаул, Россия
2Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
Email: smaginv@yandex.ru, n_eremina51@mail.ru, sijey666@mail.ru
Выставление онлайн: 19 апреля 2018 г.
PDF версия
Полупроводниковые квантовые точки (КТ) интенсивно люминесцируют и воспроизводят оптические характеристики. Легирование ионами металлов положительно влияет на их свойства. Внедрение КТ в полимерные матрицы приводит к формированию требуемой морфологии композиций. Проблема синтеза оптически прозрачных полимерных композиций, содержащих КТ группы A2B6, заключается в крайне малой растворимости халькогенидов металлов и большинства их предшественников в мономерах. Для ее решения нами применен коллоидный синтез. КТ CdS были получены методом возникающих реагентов in situ в среде метилметакрилата (ММА). Легирование ионами Ag+ проведено введением в реакционную смесь соли серебра в процессе синтеза КТ CdS. Люминесцирующие полимерные "стекла" ПММА/CdS : Ag получены радикальной полимеризацией ММА в блоке. Прозрачность композиций при длинах волн >500 nm достигает 92% (5 mm). Возбуждение люминесценции связано с межзонными переходами электронов в кристаллах CdS. Люминесценция в области 500-600 nm наблюдается при возвращении электронов через систему уровней в запрещенной зоне легированных кристаллов CdS. Положение спектральных полос и их интенсивность зависят от концентрации Ag+, размера частиц, длины волны возбуждающего излучения и других факторов. Образование структур Cd(Ag)S/Ag2S при концентрациях ионов Ag+>5.0·10-3 mol/L тушит люминесценцию. -17
  1. Хайрутдинов Р.Ф. // Успехи химии. 1998. Т. 67. N 2. С. 125; Khairutdinov R.F. // Russian Chem. Rev. 1998. V. 67. N 2. P. 109
  2. Ремпель А.А. // Успехи химии. 2007. Т. 76. N 5. С. 474; Rempel A.A. // Russian Chem. Rev. 2007. V. 76. N 5. P. 435. doi 10.1070/RC2007v076n05ABEH003674
  3. Chandra B.P., Chandra V.K., Jha P. // Solid State Phenomena. 2015. V. 222. P. 1. doi 10.4028/www.scientific.net/SSP.222.1
  4. Denzler D., Olschewski M., Sattler K. // J. Appl. Phys. 1998. V. 84. N 5. P. 2841
  5. Lozada-Morales R., Zelaya-Angel O., Torres-Delgado G. // Appl. Surface Sci. 2001. V. 175--176. P. 562. doi 10.1016/S0169-4332(01)00115-5
  6. Hayne M., Bansal B. // Luminescence. 2012. V. 27. N 3. P. 179. doi 10.1002/bio.2342
  7. Sun X., Xie L., Wang T. et. al. // Opt. express. 2013. V. 21. N 7. Р. 8214. doi 10.1364/OE.21.008214
  8. Li B., Zhang X., Li L. et. al. // J. Sol. State Chem. 2014. V. 214. P. 108. doi 10.1016/j.jssc.2014.02.009
  9. Ушакова Е.В., Кормилина Т.К., Буркова М.А. и др. // Опт. и спектр. 2017. Т. 122. N 1. С. 31; Ushakova E.V., Kormilina T.K., Burkova M.A. et. al. // Opt. Spectrosc. 2017. V. 122. N 1. P. 25. doi 10.1134/S0030400X17010301
  10. Готовцева Е.Ю., Бирюков А.А., Светличный В.А. // Изв. высш. учебн. завед. Физика. 2013. Т. 56. N 3. С. 32; Gotovtseva E.Y., Biryukov A.A., Svetlichnyi V.A. // Russian Phys. J. 2013. V. 56. N 3. P. 273. doi 10.1007/s11182-013-0027-3
  11. Смагин В.П., Давыдов Д.А., Унжакова Н.М., Бирюков А.А. // Журн. неорган. хим. 2015. Т. 60. N 12. С. 1734; Smagin V.P., Davydov D.A., Unzhakova N.M., Biryukov A.A. // Rus. J. Inorg. Chem. 2016. V. 60. N 12. P. 1588. doi 10.1134/S0036023615120244
  12. Jing-hua N., Rui-nian H., Wen-lian L. et. al. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2006. V. 39. N 11. P. 2357
  13. Planelles-Arago J., Julian-Lopez B., Cordoncillo E. et. al. // J. Mater. Chem. 2008. V. 18. P. 5193
  14. Буланый М.Ф., Коваленко А.В., Полежаев Б.А., Прокофьев Т.А. // ФТП. 2009. Т. 43. Вып. 6. С. 745; Bulanuy M.F., Kovalenko A.V., Polezaev B.A., Prokof'yev T.A. // Semiconductors. 2009. V. 43. N 6. P. 16. doi 10.1134/S1063782609060050
  15. Огурцов К.А., Бахметьев В.В., Абызов А.М. и др. // Известия СПбГТИ (ТУ). 2010. N 7. С. 13
  16. Mukherjee P., Shade C.M., Yingling A.M. et al. // J. Phys. Chem. A. 2011. V. 115. N 16. P. 4031. doi 10.1021/jp109786w
  17. Mukherjee P., Sloan R.F., Shade C.M. et. al. // J. Phys. Chem. C. 2013. V. 117. N 27. P. 144514. doi 10.1021/jp404947x
  18. Смагин В.П., Исаева А.А., Еремина Н.С., Бирюков А.А. // Журн. приклад. хим. 2015. Т. 88. Вып. 6. С. 924; Smagin V.P., Isaeva A.A., Eremina N.S., Biryukov A.A. // Rus. J. of Appl. Chem. 2015. V. 88. N 6. P. 1020. doi 10.1134/S1070427215060208
  19. Джафаров М.А., Насиров Е.Ф., Джафарли Р.С. // Неорган. матер. 2017. Т. 53. N 1. С. 15; Jafarov M.A., Nasirov E.F., Jafarli R.S. // Inorganic Materials. 2017. V. 53. N 1. P. 39. doi 10.1134/S0020168517010058
  20. Галкин М.В., Агеева Е.В., Недосекин Д.А. и др. // Вестн. Моск. ун-та. Сер. 2. Химия. 2010. Т. 51. N 2. С. 115
  21. Садовников С.И., Ремпель А.А // Неорган. матер. 2015. Т. 51. N 8. С. 829; Sadovnikov S.I., Rempel A.A. // Inorganic Materials. 2015. V. 51. N 8. P. 759. doi 10.1134/S0020168515070134
  22. Садовников С.И., Чукин А.В., Ремпель А.А., Гусев А.И. // ФТТ. 2016. Т. 58. N 1. С. 32; Sadovnikov S.I., Rempel' A.A., Gusev A.I., Chukin A.V. // Physics of the Solid State. 2016. V. 58. N 1. P. 30. doi 10.1134/S1063783416010273
  23. Акимов И.А. // Опт. и спектр. 1992. Т. 72. N 4. С. 1026
  24. Ушаков Н.М., Юрков Г.Ю., Запсис К.В. и др. // Опт. и спектр. 2006. Т. 100. N 3. С. 459; Ushakov N.M., Zapsis K.V., Yurkov G.Yu. et. al. // Opt. Spectrosc. 2006. V. 100. N 3. P. 414. doi 10.1134/S0030400X06030180
  25. Звайгзне М.А., Мартынов И.Л., Кривенков В.А. и др. // Опт. и спектр. 2017. Т. 122. N 1. С. 76; Zvaigzne M.A., Martynov I.L., Krivenkov V.A. et. al. // Opt. Spectrosc. 2017. V. 122. N 3. P. 69. doi 10.1134/S0030400X17010313
  26. Смагин В.П., Еремина Н.С., Исаева А.А., Ляхова Ю.В. // Неорган. матер. 2017. Т. 53. N 3. С. 252; Smagin V.P., Eremina N.S., Isaeva A.A., Lyakhova Yu.V. // Inorganic Materials. 2017. V. 53. N 3. P. 263. doi 10.1134/S0020168517030086
  27. Смагин В.П., Давыдов Д.А., Унжакова Н.М. Патент РФ N 2561287, 2015
  28. Гутаковский А.К., Покровский Л.Д., Репинский С.М., Свешникова Л.Л. // Журн. структ. хим. 1999. Т. 40. N 3. С. 589
  29. Бирюков А.А. Автореф. канд. дисс. Томск: ТГУ, 2010. 19 с
  30. Морозова Н.К., Каретников И.А., Мидерос Д.А. и др. // ФТП. 2006. Т. 40. N 10. С. 1185; Morozova N.K., Karetnikov I.A., Mideros D.A. et. al. // Semiconductors. 2006. V. 40. N 10. P. 1155. doi 10.1134/S106378260610006X
  31. Морозова Н.К., Данилевич Н.Д., Олешко В.И., Вильчинская С.С. // Изв. вузов: Электроника. 2012. N 3 (95). С. 3.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme