"Оптика и спектроскопия"
Издателям
Вышедшие номера
Структура центров излучательной туннельной рекомбинации в эмульсионных микрокристаллах AgBr(I)
Тюрин А.В.1, Жуков С.А.1
1Научно-исследовательский институт физики Одесского национального университета им. И.И. Мечникова, Одесса, Украина
Email: zhukov@onu.edu.ua
Выставление онлайн: 20 января 2018 г.

Для установления структуры центров излучательной туннельной рекомбинации в эмульсионных микрокристаллах бромида серебра с примесью иода AgBr(I) и роли эмульсионной среды в их формировании исследованы зависимости спектров люминесценции от температуры в интервале от 77 до 120 K и кинетики нарастания максимального значения ее интенсивности на lambda~560 nm, а также спектр "вспышки" люминесценции, стимулируемой инфракрасным светом. Для исследований использовались два типа микрокристаллов AgBr1-x(Ix) (x = 0.03): полученные в водном растворе и на желатиновой основе. Установлено, что центрами излучательной туннельной рекомбинации в AgBr1-x(Ix) (x = 0.03) с максимумом свечения на lambda~560 nm являются донорно-акцепторные комплексы \(I a-Ia-)Agi+\ --- ионы иода Ia-, расположенные в соседних анионных узлах кристаллической решетки AgBr(I), рядом с которыми находится межузельный ион серебра Agi+. С повышением температуры центры \(Ia-Ia-)Agi+\ подвергаются структурному преобразованию в центры \(Ia-Ia-)Agin+\, где n = 2,3.... При этом центры \(Ia-Ia-)Agin+\, n = 2, после захвата ими электрона и дырки также обеспечивают туннельную рекомбинацию с максимумом свечения на lambda~ 720 nm. Влияние эмульсионной среды сводится к тому, что желатина, взаимодействуя с поверхностными центрами локализации электронов --- межузельными ионами серебра Agin+, n = 1, 2, образует с ними комплексы \Agin0G+\, n = 1, 2. Последние являются более глубокими ловушками для электронов с малым сечением захвата по сравнению с центрами Agin+, n = 1, 2, и проявляются в том, что кинетика нарастания люминесценции в AgBr(I) до стационарного уровня на lambda~ 560 nm характеризуется наличием "вспышечного разгорания". При этом "вспышка" люминесценции, стимулируемая ИК светом, за которую ответственны центры локализации электронов Agin+, n = 1, 2, отсутствует. Предполагается, что электроны, локализованные на комплексах \Agin0G+\, n = 2, сохраняют способность к излучательной туннельной рекомбинации с дырками, локализованными на парных иодных центрах, с максимумом свечения на lambda~750 nm. DOI: 10.21883/OS.2018.02.45520.182-17
  • Белоус В.М., Голуб С.И., Орловская Н.А. // Журнал научн. и прикл. фотогр. и кинематогр. 1969. Т. 14. N 1. C. 39
  • Белоус В.М., Мельничук Л.П., Орловская Н.А., Чибисов К.В. // ДАН СССР. 1970. Т. 193. N 5. С. 1086
  • Миз К., Джеймс Т. Теория фотографического процесса. Л.: Химия, 1973. 572 с
  • Белоус В.М., Толстобров В.И., Чурашов В.П., Суворин В.В. // Журнал научн. и прикл. фотогр. и кинематогр. 1977. Т. 22. N 5. С. 390
  • Зимкин Е.А., Ключевич Р.Ф. // Успехи научной фотографии. 1972. Т. 16. С. 136
  • Зимкин Е.А., Ключевич Р.Ф. // Журнал научн. и прикл. фотогр. и кинематогр. 1965. Т. 10. N 5. С. 397
  • Дьяконов А.Н., Завлин П.М. Полимеры в кинофотоматериалах. Л.: Химия, 1991. 240 с
  • Белоус В.М., Жуков С.А., Орловская Н.А. // Журнал научн. и прикл. фотогр. и кинематогр. 1982. Т. 27. N 3. С. 218
  • Жуков С.А. Автореф. канд. дис. Одесса, 1991
  • Sakuragi S., Kanzaki H. // Phys. Rev. Lett. 1977. V. 38. N 22. P. 1302
  • Денисова Н.В., Белоус В.М., Денисов И.Г., Деминов Р.Г. // Журнал научн. и прикл. фотогр. и кинематогр. 1989. Т. 34. N 3. С. 221
  • Денисова Н.В. Автореф. канд. дис. Казань, 1989
  • Белоус В.М., Ахмеров А.Ю., Жуков С.А., Орловская Н.А. // Журнал научн. и прикл. фотогр. и кинематогр. 2001. Т. 46. N 2. С. 19
  • Ляндо В.А., Ведерникова А.О., Логинова И.С., Ефимова Л.И., Мусина А.Н., Загирова Г.Г. // Журн. научн. и прикл. фотогр. и кинематогр. 1982. Т. 27. N 5. С. 364
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.