Noise spectroscopy of current in ultraviolet LEDs based on InGaN/GaN quantum well structures
Ivanov A. M.
1, Klochkov A. V.1
1Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia
Email: alexandr.ivanov@mail.ioffe.ru, alex.klo@mail.ioffe.ru
The spectral density of low-frequency current noise increases sharply and changes its frequency dependence when the temperature drops below 150 K, in the flesh to the temperature of liquid nitrogen. Explanations are proposed based on changes in the mechanisms of carrier transport and the increasing role of nonradiative recombination. Keywords: low-frequency current noise, quantum wells, tunnel resistance.
- Z. Peng, W. Guo, T. Wu, Z. Guo, Y. Lu, Y. Zheng, Y. Lin, Z. Chen, IEEE Photon. J., 12 (1), 8200108 (2020). DOI: 10.1109/JPHOT.2019.2958311
- P. Tian, J.J.D. McKendry, J. Herrnsdorf, S. Watson, R. Ferreira, I.M. Watson, E. Gu, A.E. Kelly, M.D. Dawson, Appl. Phys. Lett., 105 (17), 171107 (2014). DOI: 10.1063/1.4900865
- S. Marcinkevicius, R. Yapparov, L.Y. Kuritzky, Y-R. Wu, S. Nakamura, J.S. Speck, Phys. Rev. B, 101, 075305 (2020). DOI: 10.1103/PhysRevB.101.075305
- D.S. Arteev, A.V. Sakharov, A.E. Nikolaev, W.V. Lundin, A.F. Tsatsulnikov, J. Lumin., 234, 117957 (2021). DOI: 10.1016/j.jlumin.2021.117957
- M.L. Lee, P.S. Hsieh, C.S. Chen, H.Z. Zhang, P.Y. Chen, C.Y. Yang, M.J. Wu, C.F. Lin, H.W. Hsu, M.Y. Kuo, H. Chen, J. Mater Sci.: Mater. Electron., 32, 28287 (2021). DOI: 10.1007/s10854-021-07205-6
- A.S. Pavluchenko, I.V. Rozhansky, D.A. Zakheim, Semiconductors, 43 (10), 1351 (2009). DOI: 10.1134/S1063782609100170
- L. Wan, X. Shao, Y. Ma, S. Deng, Y. Liu, J. Chen, Y. Gu, T. Li, X. Li, Infrared Phys. Technol., 109, 103389 (2020). DOI: 10.1016/j.infrared.2020.103389
- J. Glemvza, S. Pralgauskaite, V. Palenskis, J. Matukas, Lith. J. Phys., 59 (3), 146 (2019). DOI: 10.3952/physics.v59i3.4081
- B. Saulys, J. Matukas, V. Palenskis, S. Pralgauskaite, G. Kulikauskas, Acta Phys. Pol. A, 119 (4), 514 (2011). DOI: 10.12693/APhysPolA.119.514
- A.M. Ivanov, A.V. Klochkov, Semiconductors, 56 (6), 431 (2022). DOI: 10.21883/SC.2022.06.53546.9817
- A.M. Ivanov, G.V. Nenashev, A.N. Aleshin, J. Mater Sci.: Mater. Electron., 33, 21666 (2022). DOI: 10.1007/s10854-022-08955-7
- J. Glemvza, J. Matukas, S. Pralgauskaite, V. Palenskis, Lith. J. Phys., 58 (2), 194 (2018). DOI: 10.3952/physics.v58i2.3749
- A.M. Ivanov, A.V. Klochkov, J. Phys.: Conf. Ser., 2103, 012189 (2021). DOI: 10.1088/1742-6596/2103/1/012189
- N.I. Bochkareva, V.V. Voronenkov, R.I. Gorbunov, M.V. Virko, V.S. Kogotkov, A.A. Leonidov, P.N. Vorontsov-Velyaminov, I.A. Sheremet, Yu.G. Shreter, Semiconductors, 51 (9), 1186 (2017). DOI: 10.1134/S1063782617090068
- N.I. Solin, S.V. Naumov, Phys. Solid State, 45 (3), 486 (2003). DOI: 10.1134/1.1562235
- N.I. Bochkareva, Yu.T. Rebane, Yu.G. Shreter, Semiconductors, 49 (12), 1665 (2015). DOI: 10.1134/S1063782615120040
- J. Liu, W.S. Tam, H. Wong, V. Filip, Microelectron. Reliab., 49 (1), 38 (2009). DOI: 10.1016/j.microrel.2008.10.002
- Q. Lv, J. Gao, X. Tao, J. Zhang, C. Mo, X. Wang, C. Zheng, J. Liu, J. Lumin., 222, 117186 (2020). DOI: 10.1016/j.jlumin.2020.117186
- M. Buffolo, A. Caria, F. Piva, N. Roccato, C. Casu, C. De Santi, N. Trivellin, G. Meneghesso, E. Zanoni, M. Meneghini, Phys. Status Solidi A, 219, 2100727 (2022). DOI: 10.1002/pssa.202100727
- S. Pralgauskaite, V. Palenskis, J. Matukas, J. Glemvza, G. Muliuk, B. vSaulys, AA. Trink\=unas, Microelectron. Reliab., 55 (1), 52 (2015). DOI: 10.1016/j.microrel.2014.09.027
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.