ПЖТФ, 2010, том 36, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Светодиоды на основе гетероструктур InAs/InAsSb для спектроскопии CO2 (lambda=4.3 mum)

А.С.Головин, А.П.Астахова, С.С.Кижаев, Н.Д.Ильинская,
О.Ю.Серебренникова, Ю.П.Яковлев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург
E-mail: and-golovin@yandex.ru

Поступило в Редакцию 23 июля 2009 г.

Созданы светодиоды на основе гетероструктур InAs/InAsSb, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений, работающие в спектральном диапазоне 4.1-4.3 mum. Для увеличения вышедшего из кристалла излучения выбрана флип-чип конструкция светодиодов. Созданы два типа светодиодов --- с гладкой и развитой световыводящей поверхностью. Исследованы электролюминесцентные свойства. Показано, что светодиоды с развитой световыводящей поверхностью более эффективны за счет увеличения выхода излучения из кристалла из-за переотражения от криволинейной поверхности. Мощность светодиодов в квазинепрерывном режиме (QCW) составила 30 muW при токе 200 mA, в импульсном режиме --- 0.6 mW при токе 2 A.

 PDF версия (246Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2010, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster