ПЖТФ, 2010, том 36, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Исследование возможности
формирования массивов
квантовых точек в системе InAs/GaAs капельным методом в условиях МОС-гидридной эпитаксии

Р.Х.Акчурин, И.А.Богинская, Н.Т.Вагапова,
А.А.Мармалюк, А.А.Панин

Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова (МИТХТ)
OOO " Сигм Плюс", Москва
E-mail: rakchur@mail.ru

Поступило в Редакцию 9 июля 2009 г.

Экспериментально изучена возможность формирования массивов квантовых точек InAs на подложке GaAs (100) капельным методом в условиях низкотемпературной (160-360oC) МОС-гидридной эпитаксии. Установлено, что разложение триметилиндия, использовавшегося в качестве источника In, происходит даже при наиболее низких температурах указанного диапазона. Высота образующихся на поверхности подложки капель составляла от 3 до 12 nm при плотности ~ 0.4· 109-1.4· 109 cm-2 в зависимости от условий осаждения. Показано, что для сохранения геометрических размеров нанокристаллов InAs, образующихся на этапе последующей обработки, необходимо использовать повышенную подачу арсина.

 PDF версия (623Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2010, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster