ПЖТФ, 2009, том 35, выпуск 21

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Межслоевая релаксация в гетероструктурах AIII-нитридов по данным рентгеновской дифракции

Р.Н.Кютт, Ю.А.Динаев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург
Кабардино-Балкарский государственный университет
им. Х.М. Бербекова, Нальчик
E-mail: r.kyutt@mail.ioffe.ru

Поступило в Редакцию 26 мая 2009 г.

Проведено рентгенодифракционное исследование структурного совершенства 2 образцов двухслойной гетеросистемы InN-GaN, выращенной методами молекулярно-лучевой и газофазной эпитаксии на (0001)-плоскости сапфира. Из анализа уширений дифракционных пиков, измеренных в разной геометрии дифракции, получены компоненты тензора микродисторсии и из них оценена плотность отдельных семейств дислокаций в каждом из слоев. Прослежено изменение дислокационной структуры от нижележащего слоя GaN к вышележащему слою InN. Разница в поведении дислокаций в 2 образцах, выращенных разными методами, позволяет предположить разные механизмы релаксации упругих напряжений между слоями InN и GaN в этих двух случаях.

PACS: 61.05.cp, 61.72.Lk, 61.72.uj

 PDF версия (261Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster