ПЖТФ, 2009, том 35, выпуск 14

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Ферромагнетизм в GaAs структурах с дельта-легированным Mn слоем

О.В.Вихрова, Ю.А.Данилов, М.В.Дорохин, Б.Н.Звонков,
И.Л.Калентьева, А.В.Кудрин

Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород
E-mail: vikhrova@nifti.unn.ru

Поступило в Редакцию 12 февраля 2009 г.

Показано наличие ферромагнетизма в полупроводниковых GaAs структурах, полученных сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и лазерного распыления твердотельных мишеней в едином ростовом цикле и содержащих одиночный дельта-легированный слой марганца. Структуры демонстрируют нелинейные магнитополевые зависимости сопротивления Холла с петлей гистерезиса (коэрцитивная сила около 80 Oe) и отрицательное магнитосопротивление (до 4% в поле 3000 Oe) при температурах ниже точки Кюри (~ 30 K).

PACS: 75.50.Pp, 75.47.-m

 PDF версия (206Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster