ПЖТФ, 2009, том 35, выпуск 13

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Механизм фотоэлектромагнитного эффекта в двумерных системах в квантующих магнитных полях

Ю.Б.Васильев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург
E-mail: yu.vasilyev@mail.ioffe.ru

Поступило в Редакцию 14 декабря 2008 г.

Рассматривается новый механизм терагерцового фотоэлектронного эффекта, позволяющий объяснить особенности обнаруженных ранее терагерцовых фототоков в асимметричных квантовых ямах InAs и в двойных ямах GaAs в наклонном магнитном поле. Показано, что в асимметричных полупроводниковых гетероструктурах в наклонном магнитном поле при поглощении излучения на переходах между уровнями Ландау индуцированный фототок является краевым. Предлагается новая концепция создания чувствительных терагерцовых фотоприемников на основе асимметричных гетероструктур.

PACS: 72.40.+w, 78.67.De

 PDF версия (128Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster