ПЖТФ, 2009, том 35, выпуск 13

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние контактов металл-сегнетоэлектрик на формирование объемного заряда в сегнетоэлектрических тонкопленочных конденсаторах

А.Б.Козырев, М.М.Гайдуков, А.Г.Гагарин,
А.Г.Алтынников, С.В.Разумов, А.В.Тумаркин

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет (ЛЭТИ)
E-mail: mcl@eltech.ru

В окончательной редакции 5 февраля 2009 г.

Проведены исследования быстродействия конденсаторных структур на основе пленки Ba0.3Sr0.7TiO3 (BSTO) с различными условиями изготовления контакта металл-сегнетоэлектрик. Обнаружены пороговые напряжения возникновения остаточного объемного заряда. На основе сопоставления технологических особенностей формирования контактов и экспериментальных данных сделан вывод о возможности подавления инжекции носителей заряда в сегнетоэлектрическую пленку путем формирования контактов конденсатора Pt-BSTO в кислородной атмосфере.

PACS: 77.55.+f, 84.32.-y, 84.32.Tt, 84.40.-x

 PDF версия (115Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster