Развитие нового направления микроэлектроники --- спинтроники требует разработки и использования новых материалов, в которых процессы переноса заряда определяются их магнитным состоянием. В этом отношении редкоземельные манганиты со структурой перовскита типа R$$_1-xM$$_xMnO$$₃ (где R --- трехвалентные ионы La, Pr, Nd и других редкоземельных элементов, M --- двухвалентные ионы Sr, Ca, Ba) являются перспективными материалами. Природа наблюдаемого в них колоссального магнитосопротивления (КMС) до конца не установлена. Эти системы демонстрируют богатые фазовые диаграммы с разнообразными типами структурного, магнитного, зарядового и орбитального упорядочения [1], в которых наблюдается уникальная взаимосвязь электронных, магнитных и структурных свойств.

В связи с этим целью данной работы являлось исследование поведения магнитно-неоднородного состояния, с которым связывают явление КМС, при воздействии переменного и постоянного магнитного поля.

PACS: 75.30.Cr, 71.30.+h, 75.30.Gw