ПЖТФ, 2008, том 34, выпуск 22

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Электронно-микроскопическое исследование структуры SiC/Si(111), полученной методом твердофазной эпитаксии

Л.М.Сорокин, Н.В.Веселов, М.П.Щеглов, А.Е.Калмыков,
А.А.Ситникова, Н.А.Феоктистов, А.В.Осипов, С.А.Кукушкин

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург
E-mail: lev.sorokin@mail.ioffe.re

Поступило в Редакцию 8 июля 2008 г.

Представлены первые результаты электронно-микроскопического исследования тонких слоев карбида кремния, выращенных на кремнии новым методом твердофазной эпитаксии. Показано, что на начальном этапе роста эпитаксиальных слоев формируется переходная область, состоящая из участков различных политипов SiC. Эта область находится на границе раздела: подложка--монокристаллический слой карбида кремния преимущественно со структурой 3C-политипа. Установлено, что в приповерхностном слое подложки кремния формируются поры с интервалом размеров от долей микрона до десятков нанометров, которые способствуют росту эпитаксиальных монокристаллических слабо напряженных слоев карбида кремния.

PACS: 61.05.-a, 68.37.-d, 68.37.Lp

 PDF версия (1.0Mb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster