ПЖТФ, 2008, том 34, выпуск 22

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Модификация электрических свойств вакансионно-легированных образцов p-HgCdTe при ионном травлении

И.И.Ижнин, С.А.Дворецкий, Н.Н.Михайлов, Ю.Г.Сидоров,
В.С.Варавин, М.Поцяск, К.Д.Мынбаев

НИИ материалов << НПП \glqq Карат\grqq>>, 79031 Львов, Украина
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН,
630090 Новосибирск, Россия
Институт физики Университета Жешув, 35-310 Жешув, Польша
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН,
194021 Санкт-Петербург, Россия
E-mail: granat@ipm.lviv.ua

Поступило в Редакцию 23 марта 2008 г.

Изучено воздействие ионного травления на электрические свойства вакансионно-легированных образцов p-Hg1-xCdxTe (x~0.22). Образцы были изготовлены термическим отжигом гетероструктур, выращенных молекулярно-пучковой эпитаксией, а также монокристаллов и пленки, выращенной жидкофазной эпитаксией. После ионного травления в образцах наблюдалось образование донорных центров, причем в гетероструктурах, в отличие от других образцов, концентрация центров достигала величины ~1017 cm-3. Установлено, что причиной высокой концентрации донорных центров в гетероструктурах явилась активация ионным травлением нейтральных дефектов, сформировавшихся в процессе роста. Обсуждается возможная природа этих дефектов.

PACS: 73.61.Ga, 61.80.Jh, 66.30.Lw

 PDF версия (145Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster