ПЖТФ, 2008, том 34, выпуск 22

 Другие выпуски  Другие журналы  Поиск  
 
Дедков Г.В., Кясов А.А.
О  \glqq холодной\grqq и \glqq тепловой\grqq силах Казимира-Полдера при взаимодействии атома с поверхностью нагретой пластины
1
 
Гребенщикова Е.А., Шерстнев В.В., Кижаев С.С., Попова Т.Б., Яковлев Ю.П.
Создание дискового резонатора с вертикальной боковой поверхностью для  WGM-лазера (lambda ~ 3 mu m)
7
 
Радченко Г.С.
Резонансное усиление пьезоэлектрических, диэлектрических и магнитоэлектрических констант неоднородных мультиферроиков в переменном электрическом поле
14
 
Локтев А.А., Локтев Д.А.
Поперечный удар шара по сфере с учетом волны в мишени
21
 
Савченко К.В.
Рентгеноиндуцированная проводимость Ga2Se3
30
 
Полякова О.Н., Тихонов В.В., Дзарданов А.Л., Боярский Д.А., Гольцман Г.Н.
Диэлектрические характеристики рудных минералов в диапазоне частот 10-40 GHz
36
 
Зубков В.И., Щеглов В.И.
Характеристики излучения, возникающего при преобразовании обратных объемных магнитостатических волн в электромагнитные
44
 
Бойков Ю.А., Волков М.П.
Электро- и магнетосопротивление
пленок (30 nm)La0.67Ca0.33MnO3, упругомеханически сжатых в плоскости (110)
50
 
Первухин В.В., Шевень Д.Г.
Увеличение разрешения спектрометра приращения ионной подвижности при применении напряжения \glqq ряби\grqq
57
 
Ижнин И.И., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Сидоров Ю.Г., Варавин В.С., Поцяск М., Мынбаев К.Д.
Модификация электрических свойств вакансионно-легированных образцов p-HgCdTe при ионном травлении
64
 
Кузнецов А.П., Кузнецов С.П., Савин А.В., Савин Д.В.
О возможности реализации в автоколебательной системе
с внешним периодическим воздействием универсального поведения, характерного для перехода к хаосу через удвоения периода в консервативных системах
72
 
Герасимов В.А., Герасимов В.В., Павлинский А.В.
Многосекционный активный элемент с продольным возбуждением для самоограниченных лазеров
81
 
Сорокин Л.М., Веселов Н.В., Щеглов М.П., Калмыков А.Е., Ситникова А.А., Феоктистов Н.А., Осипов А.В., Кукушкин С.А.
Электронно-микроскопическое исследование структуры SiC/Si(111), полученной методом твердофазной эпитаксии
88


Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster