| Другие выпуски | Другие журналы | Поиск |
|---|
| Дедков Г.В., Кясов А.А. О \glqq холодной\grqq и \glqq тепловой\grqq силах КазимираПолдера при взаимодействии атома с поверхностью нагретой пластины | 1 |
|---|---|
| Гребенщикова Е.А., Шерстнев В.В., Кижаев С.С., Попова Т.Б., Яковлев Ю.П. Создание дискового резонатора с вертикальной боковой поверхностью для WGM-лазера (m) | 7 |
| Радченко Г.С. Резонансное усиление пьезоэлектрических, диэлектрических и магнитоэлектрических констант неоднородных мультиферроиков в переменном электрическом поле | 14 |
| Локтев А.А., Локтев Д.А. Поперечный удар шара по сфере с учетом волны в мишени | 21 |
| Савченко К.В. Рентгеноиндуцированная проводимость GaSe | 30 |
| Полякова О.Н., Тихонов В.В., Дзарданов А.Л., Боярский Д.А., Гольцман Г.Н. Диэлектрические характеристики рудных минералов в диапазоне частот GHz | 36 |
| Зубков В.И., Щеглов В.И. Характеристики излучения, возникающего при преобразовании обратных объемных магнитостатических волн в электромагнитные | 44 |
| Бойков Ю.А., Волков М.П. Электро- и магнетосопротивление пленок (30 nm)LaCaMnO, упругомеханически сжатых в плоскости (110) | 50 |
| Первухин В.В., Шевень Д.Г. Увеличение разрешения спектрометра приращения ионной подвижности при применении напряжения \glqq ряби\grqq | 57 |
| Ижнин И.И., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Сидоров Ю.Г., Варавин В.С., Поцяск М., Мынбаев К.Д. Модификация электрических свойств вакансионно-легированных образцов -HgCdTe при ионном травлении | 64 |
| Кузнецов А.П., Кузнецов С.П., Савин А.В., Савин Д.В. О возможности реализации в автоколебательной системе с внешним периодическим воздействием универсального поведения, характерного для перехода к хаосу через удвоения периода в консервативных системах | 72 |
| Герасимов В.А., Герасимов В.В., Павлинский А.В. Многосекционный активный элемент с продольным возбуждением для самоограниченных лазеров | 81 |
| Сорокин Л.М., Веселов Н.В., Щеглов М.П., Калмыков А.Е., Ситникова А.А., Феоктистов Н.А., Осипов А.В., Кукушкин С.А. Электронно-микроскопическое исследование структуры SiC/Si(111), полученной методом твердофазной эпитаксии | 88 |