ПЖТФ, 2008, том 34, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

P-n-детекторы ядерного излучения на основе пленок 4H-SiC для работы при повышенных температурах (375oC)

Е.В.Калинина, А.М.Иванов, Н.Б.Строкан

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург
E-mail: evk@mail.ioffe.ru

Поступило в Редакцию 27 августа 2007 г.

Впервые представлены результаты исследования спектрометрических характеристик в температурном интервале 25-375oC, проведенного на детекторах, выполненных на основе 4H-SiC ионно-легированных p+-n-переходов. Тестирование alpha-частицами с энергией 5.8 MeV проводилось в специально созданной высокотемпературной измерительной камере. Выявлены факторы, связанные со структурными характеристиками как исходного материала, так и ионно-легированных p+-n-переходов, ограничивающие температурный предел работы детекторов в спектрометрическом режиме. Наблюдаемое повышение эффективности диффузионно-дрейфового переноса заряда с ростом температуры объяснено увеличением диффузионной длины неосновных носителей.

PACS: 61.82.Fk, 61.80.-x

 PDF версия (172Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster