ПЖТФ, 2007, том 33, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Длинноволновые фотодиоды
на основе двойной гетероструктуры n-GaSb/n-GaInAsSb/p-AlGaAsSb

А.П.Астахова, Б.Е.Журтанов, А.Н.Именков, М.П.Михайлова,
М.А.Сиповская, Н.Д.Стоянов, Ю.П.Яковлев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург
E-mail: Mikh@iropt1.ioffe.ru; Dap@iropt4.ioffe.ru

Поступило в Редакцию 19 июля 2006 г.

Созданы длинноволновые фотодиоды на основе двойной гетероструктуры n-GaSb/n-GaInAsSb/p-AlGaAsSb для спектральных диапазонов 1-2.5 mum и 1-4.8 mum, работающие при комнатной температуре. Оба типа фотодиодов обладают широкополосной фоточувствительностью, что говорит о полном разделении электронно-дырочных пар в ступенчатом n-p-гетеропереходе n-GaInAsSb/p-AlGaAsSb. Оценены шумовые параметры фотоприемников на основе созданных фотодиодов и перспективы использования этих приборов в термофотоэлектрических модулях с низкотемпературными источниками излучения.

PACS: 85.60.DW

 PDF версия (146Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster