ЖТФ, 2010, том 80, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Энергии связи 2p электронов кремния в силицидах железа

М.В.Гомоюнова, И.И.Пронин

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН,
194021 Санкт-Петербург, Россия
e-mail: Marina.Gomoyunova@mail.ioffe.ru

(Поступило в Редакцию 29 сентября 2009 г.)

Проанализированы и обобщены экспериментальные данные по энергиям связи Si 2p электронов в ряде стабильных и метастабильных силицидов железа, сформированных методом твердофазной эпитаксии на двух реконструированных гранях монокристаллического кремния --- Si(100)2x 1 и Si(111)7x 7. Измерения спектров остовных электронов проводились методом фотоэлектронной спектроскопии высокого энергетического разрешения с использованием синхротронного излучения. Показано, что значения энергии связи Si 2p электронов в стабильных силицидах, а также твердом растворе кремния в железе, возрастают с увеличением содержания в них кремния. Это обусловлено ослаблением роли межатомной релаксации в акте возбуждения фотоэлектрона.

 PDF версия (478Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2010, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster