ЖТФ, 2009, том 79, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Усовершенствованная \glqq статистическая\grqq модель образования вторичных ионов

Ю.Кудрявцев, Р.Азомоза

Отделение твердотельной электроники,
Центр исследований и передового обучения Национального политехнического института,
07360 Мехико, Мексика
e-mail: yuriyk@cinvestav.mx

(Поступило в Редакцию 18 августа 2008 г. В окончательной редакции 12 февраля 2009 г.)

Рассмотрена модель образования вторичных ионов при распылении мишени ионным пучком. В основу модели положена так называемая \glqq статистическая модель\grqq образования вторичных ионов на некотором критическом расстоянии от поверхности, предложенная ранее. Введенное нами в предыдущих работах понятие динамической температуры для каскада столкновений, инициированных первичным ионом, а также новое рассмотрение взаимодействия образовавшегося иона с поверхностным зарядом противоположного знака позволило нам получить аналитическое выражение для вероятности ионообразования. Сравнение расчетных данных с экспериментальными значениями показывает хорошее соответствие между ними, что свидетельствует в пользу предложенной нами модели.

PACS: 34.50.Bw, 79.20.Ap, 79.20.Rf, 82.80.Ms

 PDF версия (498Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster