ЖТФ, 2009, том 79, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Формирование наноразмерных частиц карбида кремния и алмазов в поверхностном слое кремниевой мишени при короткоимпульсной имплантации ионов углерода

Г.Е.Ремнев,1 Ю.Ф.Иванов,2 Е.П.Найден,3 М.С.Салтымаков,1 А.В.Степанов,1 В.Ф.Штанько\kern1pt4

1 Научно-исследовательский институт высоких напряжений Томского политехничекого университета,
634028 Томск, Россия
2 Институт сильноточной электроники ТФ СО РАН,
634055 Томск, Россия
3 Сибирский физико-технический институт,
634050 Томск, Россия
4 Томский политехнический университет,
634050 Томск, Россия
e-mail: remnev@hvd.tpu.ru

(Поступило в Редакцию 5 августа 2008 г.)

Представлены результаты исследования синтеза наноразмерных частиц карбида кремния и алмазов при короткоимпульсной имплантации ионов углерода и протонов в кремниевую мишень. Эксперименты проведены с использованием источника импульсных мощных ионных пучков \glqq ТЕМП\grqq на основе магнитоизолированного диода с радиальным магнитным полем Br. Параметры пучка: энергия ионов 300 keV, длительность импульса 80 ns, состав пучка ионы углерода и протоны, плотность ионного тока 30 A/cm2. В качестве мишени использованы пластины монокристаллического кремния. При последовательном воздействии более 100 импульсов наблюдалось формирование в поверхностном слое кремния наноразмерных частиц SiC и наноалмазов. Средний размер области когерентного рассеяния частиц SiC и наноалмазов 12-16 и 8-9 nm соответственно.

PACS: 78.67.Bf

 PDF версия (972Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster