ЖТФ, 2008, том 78, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Исследование методом молекулярной динамики адатомов Si и C и кластеров SiC на поверхности кремния

В.С.Харламов,1,2 Ю.В.Трушин,1,2 Е.Е.Журкин,3 М.Н.Лубов,2 Й.Пецольдт\kern2pt4

1 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН,
194021 Санкт-Петербург, Россия
2 Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН,
195220 Санкт-Петербург, Россия
3 Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия
4 Center for Micro- and Nanotechnologies, Technical University Ilmenau,
D-98684, Ilmenau, Germany
e-mail: kharlamo@theory.ioffe.ru

(Поступило в Редакцию 28 ноября 2007 г.)

В рамках исследования начальных стадий формирования слоя карбида кремния на кремнии при молекулярно-лучевой эпитаксии проведено моделирование отдельных адатомов Si и C и кластеров SiC на поверхности Si методом молекулярной динамики. Рассчитаны и проанализированы поверхности потенциальной энергии для адатомов Si и C на (2x 1)-реконструированной поверхности Si(001) и на нереконструированной поверхности Si(111), а также на поверхности Si(111) с расположенным на ней кластером SiC. Получены значения барьеров миграции для адатомов на рассмотренных поверхностях. Исследовано влияние кластера SiC на деформацию приповерхностной области Si(111) и на миграцию адатомов. На поверхностях потенциальной энергии непосредственно над кластером и у его границ обнаружены глубокие минимумы, в которые могут захватываться диффундирующие адатомы. Исследованы и охарактеризованы распределения напряжений и деформаций в решетке кремния под кластером, находящимся на поверхности.

PACS: 68.43.-h, 68.55.Ac, 02.70.Ns, 68.35.Gy

 PDF версия (1.8Mb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster