ЖТФ, 2008, том 78, выпуск 8

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние содержания Ge на высоту барьера Шоттки в структурах на основе твердых растворов Si1-xGex

Н.А.Матчанов

Физико-технический институт НПО \glqq Физика-Солнце\grqq АН Узбекистана,
700084 Ташкент, Узбекистан
e-mail: sirnornur@uzsci.net

(Поступило в Редакцию 26 декабря 2007 г.)

Исследовано влияние содержания Ge на высоту барьера Шоттки в структурах Au-p-i-n/Al на основе объемных твердых растворов Si1-xGex (0), выращенных методом электронно-лучевой бестигельной зонной плавки. В исследованных структурах Au-i-Si1-xGex, Au-alphaGe/Si(Li), Au-alphaGe/Si и Au-nSi1-xGex высота энергетического барьера составляла ~1 eV, что превышает значения этого параметра для кремния, приведенные в литературе. Показано, что избыточная концентрация Ge в приповерхностной области Si1-xGex кристалла приводит к самопассивации поверхности, которая приводит к увеличению высоты барьера. Установлено, что в структурах Au-i-Si1-xGex с ростом содержания Ge увеличивается высота барьера Шоттки от 0.97 до 1.03 eV в интервале 0.

PACS: 73.20.At, 73.40.Sx, 73.40.Ns

 PDF версия (233Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster