ЖТФ, 2007, том 77, выпуск 8

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Механизм образования нанокристаллов карбида кремния при высокотемпературной карбонизации пористого кремния

Ю.С.Нагорнов,1 Б.М.Костишко,1 С.Н.Миков,1 Ш.Р.Атажанов,2 А.В.Золотов,1 Е.С.Пчелинцева 1

1 Ульяновский государственный университет,
432700 Ульяновск, Россия
2 Самарский государственный университет,
Самара, Россия
e-mail: imfit@ulsu.ru

(Поcтупило в Редакцию 5 декабря 2006 г.)

При помощи рентгеноструктурного анализа, оже-спектроскопии и комбинационного рассеяния показано, что в процессе карбонизации пористого кремния при температуре 1200-1300oC образуются нанокристаллы карбида кремния размером 5-7 nm. Предложенный механизм образования нанокристаллов 3 C-SiC фиксированных размеров включает следующие этапы. Нанокристаллы кремния с d=3-7 nm переходят в жидкую фазу, тем самым эффективно участвуя в росте карбида кремния, по достижении критического размера, определяемого равенством его температуры плавления и окружающей среды, кристалл переходит в твердое состояние, и его рост практически прекращается. В результате образуется гетероструктура нанокристалла Si-SiC-аморфный SiC.

PACS: 81.07.-b

 PDF версия (202Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster