ЖТФ, 2007, том 77, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Пространственное и угловое распределение заряда тяжелых ионов при каналировании в кристаллах

В.С.Малышевский, С.В.Рахимов

Ростовский государственный университет,
344090 Ростов-на-Дону, Россия
e-mail: gvidon@aaanet.ru

(Поcтупило в Редакцию 15 мая 2006 г.)

Разработана кинетическая теория прохождения многозарядных тяжелых ионов через кристаллы. Теория учитывает как диффузию в пространстве поперечных импульсов, так и обмен зарядом между кристаллом и ионом. Это позволяет дать адекватное описание наблюдаемых угловых распределений тяжелых ионов, проходящих через ориентированные кристаллы, вычислить парциальные угловые распределения различных зарядовых состояний и дать физическое объяснение обнаруженным эффектам \glqq охлаждения\grqq и \glqq нагрева\grqq ионных пучков при каналировании в кристаллах. Проведены расчеты углового и пространственного распределения заряда каналированных ионов с различной энергией. Проявление эффектов \glqq охлаждения\grqq или \glqq нагрева\grqq пучков тяжелых многозарядных ионов определяется зависимостью вероятностей захвата и потери электронов от прицельного параметра при взаимодействии ионов с атомными цепочками, что и определяет характер углового и пространственного распределения заряда каналированных ионов.

PACS: 61.85.+p, 34.70.+e, 34.20.Cf, 34.10.+x

 PDF версия (427Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster