ЖТФ, 2006, том 76, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние интерфейсного s-d-рассеяния на транспорт в структурах ферромагнетик/диэлектрик/ферромагнетик

С.А.Игнатенко

Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники,
220013 Минск, Белоруссия
e-mail: s2ign@tut.by

(Поступило в Редакцию 13 февраля 2006 г.)

Разработана двухзонная s-d-модель на основе метода функций Грина для расчета проводимости и туннельного магнитосопротивления структур ферромагнетик/диэлектрик/ферромагнетик. На примере Fe/Al2O3/Fe показано, что s-d-рассеяние на границе раздела между ферромагнетиком и диэлектриком приводит к увеличению туннельного магнитосопротивления. Степень спиновой поляризации тока при этом уменьшается и даже становится отрицательной, что в основном связано с рассеянием сильно локализованных d-электронов в s-зону и последующим туннелированием сквозь диэлектрик.

PACS: 71.10.Fd, 72.10.-d, 72.10.Fk, 72.25.Ba, 72.25.Mk, 73.40.Rw

 PDF версия (235Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster