ЖТФ, 2006, том 76, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Фотоэлектронные свойства органических пленок
на поверхности кремния

С.А.Комолов, Н.Б.Герасимовa, Ю.Г.Аляев, Э.Ф.Лазнева, А.С.Комолов,
Б.А.Логинов, Н.В.Потюпкин

Научно-исследовательский институт физики им. В.А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета,
198904 Санкт-Петербург, Россия
e-mail: sak@paloma.spbu.ru

(Поступило в Редакцию 3 августа 2005 г.)

Исследованы фотоэлектронные свойства сэндвичных структур, содержащих гетеропереходы органический полупроводник-кремний: PTCDA-Si; CuPc-Si; OPV-Si. Измерены вольт-амперные характеристики и спектральные зависимости фотопроводимости и фотопотенциала. Фоточувствительность обнаружена как в области поглощения кремния, так и органических пленок. Наибольшая величина фотопотенциала (до 0.25 V) зарегистрирована на гетеропереходе PTCDA-Si. На гетеропереходе OPV-Si обнаружен эффект изменения знака фотопотенциала при облучении в разных частях оптического диапазона.

PACS: 78.68.+m, 79.60.-i

 PDF версия (164Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster