ЖТФ, 2006, том 76, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Проникновение магнитного поля в тонкую незамкнутую эллипсоидальную оболочку в присутствии проводящей толстостенной сферической оболочки

В.И.Корзюк,1 Г.Ч.Шушкевич2

1 Белорусский государственный университет,
220050 Минск, Белоруссия
2 Гродненский государственный университет им. Я. Купалы,
230023 Гродно, Белоруссия
e-mail: g\_shu@rambler.ru

(Поступило в Редакцию 21 сентября 2005 г.)

Решение задачи о проникновении магнитного поля в идеально проводящую незамкнутую эллипсоидальную оболочку в присутствии проводящей толстостенной сферической оболочки сведено к решению интегрального уравнения Фредгольма второго рода. Численно исследовано влияние угла раствора незамкнутой эллипсоидальной оболочки, некоторых геометрических параметров экранов и электрофизических свойств материала сферической оболочки на коэффициент ослабления поля внутри эллипсоидальной оболочки.

PACS: 41.20.-q

 PDF версия (150Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster