ЖТФ, 2005, том 75, выпуск 11
ЖТФ, 2005, том 75, выпуск 11
| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Структура и свойства магниторезистивной керамики, толстой и тонкой пленки LaSrMnFeO
В.П.Пащенко, Ю.Ф.Ревенко, А.В.Пащенко, В.К.Прокопенко, А.А.Шемяков, В.А.Турченко,
Н.И.Носанов, В.И.Волков, В.М.Ищук, И.Н.Чуканова, А.И.Бажин, В.В.Пащенко
Донецкий физико-технический институт им. А.А. Галкина НАН Украины,
83114 Донецк, Украина
e-mail: pashchen@pashchen.fti.ac.donetsk.ua
Донецкий научно-технологический центр \glqq Реактивэлектрон\grqq НАН Украины,
83096 Донецк, Украина
Институт монокристаллов НАН Украины,
61042 Харьков, Украина
Донецкий национальный университет,
83055 Донецк, Украина
e-mail: bazhin@dongu.donetsk.ua
(Поступило в Редакцию 26 ноября 2004 г.)
| Рентгеноструктурным, ядерно-магнитно-резонансным (ЯМР) Mn, резистивным и магнитным методами исследованы магниторезистивные керамические, толстопленочные и тонкопленочные образцы LaSrMnFeO ( и 0.04). Установлено, что ромбоэдрически искаженная () перовскитовая структура содержит анионные, катионные вакансии и наноструктурные дефекты кластерного типа. Широкие асимметричные спектры ЯМР Mn подтвердили высокочастотный электронно-дырочный обмен между Mn и Mn и неэквивалентность их окружения, обусловленную высокой дефектностью и неоднородностью структуры. Легирование железом и повышение температуры отжига приводит к уменьшению температур фазовых переходов металлполупроводник, ферропарамагнетик и увеличению магниторезистивного эффекта. Низкополевой магниторезистивный эффект в низкотемпературной области ( K) в керамике и толстой пленке объяснен туннелированием на межкристаллитных границах. Анализ влияния железа и температуры отжига на энергию активации подтвердил вывод о сложном характере дефектности перовскитовой структуры и наличии нескольких механизмов активационных процессов. |
| PDF версия (324Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2005, Коллектив авторов Разработано... webmaster |