ЖТФ, 2005, том 75, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Осцилляции туннельного магнитосопротивления в структуре ферромагнетик/диэлектрик/ферромагнетик

С.А.Игнатенко, А.Л.Данилюк, В.Е.Борисенко

Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники,
220013 Минск, Белоруссия
e-mail: s2ign@tut.by

(Поcтупило в Редакцию 4 октября 2004 г.)

Разработана модель спин-зависимого транспорта электронов через структуру ферромагнетик/диэлектрик/ферромагнетик, учитывающая силы изображения, параметры туннельного барьера, эффективные массы туннелирующего электрона в барьере и ферромагнетике в рамках приближения свободных электронов. Расчеты, проведенные для структуры железо/оксид алюминия/железо, показывает, что туннельное магнитосопротивление с ростом прикладываемого напряжения монотонно убывает, а затем наблюдаются затухающие осцилляции, которые связаны с интерференцией волновых функций электронов в области проводимости потенциального барьера. Силы изображения увеличивают туннельное магнитосопротивление в 2-3 раза.

 PDF версия (174Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster