ЖТФ, 2004, том 74, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Фотоэлектронная спектроскопия остовных уровней атомов поверхности кремния
(Обзор)

М.В.Гомоюнова, И.И.Пронин

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН,
194021 Санкт-Петербург, Россия
e-mail: Marina.Gomoyunova@mail.ioffe.ru

(Поступило в Редакцию 11 марта 2004 г.)

Обобщены результаты исследований атомного строения поверхности монокристаллического кремния (как чистой, так и с различными адсорбционными покрытиями), выполненных в последние годы методом фотоэлектронной спектроскопии остовных уровней высокого разрешения с использованием синхротронного излучения. Кратко описаны физические основы метода, техника эксперимента, методика обработки спектров и определения энергетических сдвигов остовных уровней атомов приповерхностного слоя. Особое внимание уделено поверхностным модам 2p-спектров кремния, наблюдаемых для основных типов реконструкции поверхности кристалла (Si(111)-7x7 и Si(100)-2x1), и раскрытию взаимосвязи этих мод с особенностями атомного строения данных поверхностей. Подробно проанализированы работы, посвященные системе Ge/Si, представляющей большой интерес для развития наноэлектроники, а также проблеме адсорбции многих металлов и ряда газов на основных гранях кремния. Результаты этих исследований наглядно демонстрируют высокий потенциал рассмотренного метода для получения уникальной по своей детальности информации о структуре адсорбированных слоев и перестройке поверхности подложки, стимулированной адсорбцией.

 PDF версия (2.1Mb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster