ЖТФ, 2004, том 74, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние gamma-облучения 60Co на формирование омических контактов в структурах металл-GaAs (AlxGa1-xAs)

О.Ю.Борковская, Н.Л.Дмитрук, И.Б.Ермолович, Р.В.Конакова, В.В.Миленин

Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева НАН Украины,
03028 Киев, Украина
e-mail: konakova@isp.kiev.ua

(Поступило в Редакцию 2 июня 2003 г.)

Исследовались особенности формирования невыпрямляющих контактов AuGe-GaAs (Al0.4Ga0.6As), подвергнутых термобработкам, облучению gamma-квантами 60Co и комбинированным воздействиям gamma-облучения при приложении к структурам электрического смещения. Установлены корреляционные зависимости между характером межфазовых взаимодействий в структурах и величиной их контактного сопротивления. Полученные результаты интерпретируются с позиций диффузионной модели при условии перемещения границы металллического слоя.

 PDF версия (282Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster