ЖТФ, 2004, том 74, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Динамика нарушения магнитной изоляции и самоорганизация электронного потока в магнетронном диоде

А.В.Агафонов,1 В.П.Тараканов,2 В.М.Федоров 2

1Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН,
119991 Москва, Россия
2Институт теплофизики экстремальных состояний
Объединенный институт высоких температур РАН,
125412 Москва, Россия
e-mail: agafonov@sci.lebedev.ru

(Поступило в Редакцию 7 мая 2003 г.)

Приведены результаты численного моделирования динамики нестабильности типа обратной бомбардировки (ВКВ) в магнетронном диоде (коаксиальный диод в магнитном поле, B= B0z= B0). Получен \glqq квазистационарный\grqq режим утечки электронов поперек сильного магнитного поля (B0/Bcr>1.1, Bcr --- критическое поле изоляции). Электронный поток в зазоре разбивается в азимутальном направлении на ряд сгустков и создает компоненту электрического поля Etheta(r,theta,t). Это поле ускоряет некоторые электроны, и они, получив дополнительную энергию, бомбардируют катод, вызывая вторичную эмиссию электронов. Другие электроны теряют кинетическую энергию и уходят на анод. Неустойчивость поддерживается, если катод имеет малую первичную эмиссию и коэффициент вторичной эмиссии kes=Ies/IeBKB>1. Численный расчет сопоставлен с известными экспериментальными данными и показано их согласие. Предложена физическая модель BKB нестабильности. Коллективные колебания заряженных потоков происходят в зазоре со скрещенными электрическим и магнитным полями ( Ex B-поле) при обменах импульсом и энергией между электронами и Ex B-полем. Автогенерация и самоорганизация потоков происходят благодаря вторичной эмиссии электронов с катода.

 PDF версия (1.0Mb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster