ЖТФ, 2003, том 73, выпуск 4: page 90...

ЖТФ, 2003, том 73, выпуск 4

Содержание	Предыдущая статья	Следующая статья	Поиск

Влияние фотовозбуждения на электрические характеристики тонкопленочных электролюминесцентных структур на основе ZnS : Mn

Н.Т.Гурин, А.В.Шляпин, О.Ю.Сабитов, Д.В.Рябов

Ульяновский государственный университет,
432700 Ульяновск, Россия
e-mail: soy@sv.uven.ru

(Поcтупило в Редакцию 29 июля 2002 г.)

Обнаружены существенные отличия кинетики тока и заряда, протекающих через тонкопленочный электролюминесцентный излучатель, и вида вольт-амперных характеристик излучателей при импульсной засветке в синей, красной и инфракрасной областях спектра с энергиями фотонов

~ 2.6

~ 1.9

~ 1.3

eV и плотностью потока фотонов (

4

· 10¹⁴-3· 10¹⁵) mm

^-2

· s

^-1. Полученные результаты свидетельствуют о перезарядке в процессе работы излучателей глубоких центров, обусловленных, по-видимому, вакансиями цинка

V

^2-_Zn и серы

V

⁺_S,

V

²⁺_S, расположенных выше валентной зоны соответственно на

~ 1.1

=<q 1.9

=<q 1.3

eV. Дана оценка концентрации центров

V

^2-_Zn,

V

⁺_S~ 3-4· 10¹⁶ cm

^-3,

V

²⁺_S~ 1.5· 10¹⁶ cm

^-3. Показано, что образующиеся в прианодной и прикатодной областях слоя люминофора положительные и отрицательные объемные заряды определяют электрические характеристики излучателей.

PDF версия (496Kb) Другие выпуски Другие журналы Помощь

Copyright (C) 2003, Коллектив авторов Разработано... webmaster