Вышедшие номера
Начальные стадии роста пленок марганца на поверхности Si(100)2x1
Варнаков С.Н.1,2, Гомоюнова М.В.3, Гребенюк Г.С.3, Заблуда В.Н.1, Овчинников С.Г.1, Пронин И.И.3
1Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
2Сибирский государственный аэрокосмический университет им. академика М.Ф. Решетнева, Красноярск, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Igor.Pronin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 28 мая 2013 г.
Выставление онлайн: 20 января 2014 г.

Методом фотоэлектронной спектроскопии высокого энергетического разрешения с использованием синхротронного излучения исследованы начальные стадии роста пленок марганца на поверхности Si(100)2x1, находящейся при комнатной температуре, и выявлена динамика изменения их фазового состава и электронной структуры с ростом покрытия. Показано, что в данных условиях на поверхности кремния последовательно образуются интерфейсный силицид марганца и пленка твердого раствора кремния в марганце. Рост металлической пленки марганца начинается после нанесения ~0.9 nm Mn. При этом в диапазоне покрытий до 1.6 nm Mn наблюдается сегрегация кремния на поверхности пленки. Работа выполнена при поддержке Российско-Германской лаборатории в HZB BESSY, при финансовой поддержке Министерства образования и науки РФ (соглашение 14.B37.21.1276) и РФФИ (гранты N 13-02-00398 и N 13-02-01265).
  1. S.L. Zhang, M. Ostling. Crit. Rev. Solid State Mater. Sci. 28, 1 (2003)
  2. A.L. Schmitt, J.M. Higgins, J.R. Szczech, S. Jin. J. Mater. Chem. 20, 223 (2010)
  3. C.A. Nolph, E. Vescovo, P. Reinke. Appl. Surf. Sci. 255, 7642 (2009)
  4. Z.-Q. Zou, W.-C. Li. Phys. Lett. A 375, 849 (2011)
  5. S.G. Azatyan, O.A. Utas, N.V. Denisov, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Surf. Sci. 605, 289 (2011)
  6. M. Hortamani, L. Sandratskii, P. Kratzer, I. Mertig, M. Scheffler. Phys. Rev. B 78, 104 402 (2008)
  7. S. Azatyan, M. Hirai, M. Kusaka, M. Iuami. Appl. Surf. Sci. 237, 105 (2004)
  8. G. Gtistis, U. Deffke, K. Schwinge, J.J. Paggel, P. Fumagalli. Phys. Rev. B 71, 035 431 (2005)
  9. J. Hirvonen Grytzelius, H.M. Zhang, L.S.O. Johansson. Phys. Rev. B 78, 155 406 (2008)
  10. H. Suto, K. Imai, S. Fujii, S. Honda, M. Katayama. Surf. Sci. 603, 226 (2009)
  11. Zhi-Qiang Zou, Wei-Cong Li. Phys. Lett. A 375, 849 (2011)
  12. Akitoshi Ishizaka, Yasuhiro Shiraki. J. Electrochem. Soc.: Electrochem. Sci. Techol. 133, 666 (1986)
  13. T.-W. Pi, C.-P. Ouyang, J.-F. Wen, L.-C. Tien, J. Hwang, C.-P. Cheng, G.K. Wertheim. Surf. Sci. 514, 327 (2002)
  14. H. Koh, J.W. Kim, W.H. Choi, H.W. Yeom. Phys. Rev. B 67, 073 306 (2003)
  15. М.В. Гомоюнова, Г.С. Гребенюк, И.И. Пронин, С.М. Соловьев, О.Ю. Вилков, Д.В. Вялых. ФТТ 55, 2, 392 (2013)
  16. М.В. Гомоюнова, Г.С. Гребенюк, К.М. Попов, И.И. Пронин. ЖТФ 83, 6, 78 (2013)
  17. М.В. Гомоюнова, И.И. Пронин. ЖТФ 74, 10, 1 (2004)
  18. M.V. Gomoyunova, I.I. Pronin, N.R. Gall, D.V. Vyalikh, S.L. Molodtsov. Surf. Sci. 578, 174 (2005)
  19. M.V. Gomoyunova, D.E. Malygin, I.I. Pronin, A.S. Voronichikhin, D.V. Vyalikh, S.L. Molodtsov. Surf. Sci. 601, 5069 (2007)
  20. F. Sirotti, M. DeSantis, X. Jin, G. Rossi. Phys. Rev. B 49, 11134 (1994)
  21. J. Avila, A. Mascaraque, C. Teederescu, E.G. Michel, M.C. Acerisio. Surf. Sci. 377--379, 856 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.