Методом фотоэлектронной спектроскопии высокого энергетического разрешения с использованием синхротронного излучения исследовано формирование интерфейса Si/Co и его магнитные свойства. Эксперименты проведены in situ в условиях сверхвысокого вакуума (5·10^-10 Torr) в диапазоне толщин покрытия до 2 nm. Обнаружено, что на начальной стадии нанесения кремния на поверхность поликристаллического кобальта, находящуюся при комнатной температуре, образуются сверхтонкие слои силицидов Co₃Si, Co₂Si, CoSi и CoSi₂. Три последние фазы являются немагнитными, и их формирование приводит к быстрому затуханию эффекта магнитного линейного дихроизма в фотоэмиссии Co 3p-электронов. При дозах напыления, превышающих ~0.4 nm Si, на поверхности образца растет пленка аморфного кремния. Установлено, что межфазовая граница Si/Co стабильна в интервале температур до ~ 250^oС, а дальнейший нагрев образца стимулирует уход аморфного кремния с поверхности образца и процессы силицидообразования. Работа выполнена при поддержке РФФИ (проект N 10-02-00632) и Российско-германской лаборатории в HZB BESSY.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.