ФТТ, 2010, том 52, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Тонкие сегнетоэлектрические пленки: получение
и перспективы интеграции

А.С.Сигов, Е.Д.Мишина, В.М.Мухортов\kern1pt*

Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики
(Технический университет),
Москва, Россия
* Южный научный центр РАН,
Ростов-на-Дону, Россия
E-mail: mishina\_elena57@mail.ru

(Поступила в Редакцию 27 июля 2009 г.)

Рассматриваются свойства тонких пленок (Ba,Sr)TiO3 и BiFeO3 и наноструктур на их основе. Пленки изготавливаются методом высокочастотного распыления в атмосфере кислорода с повышенным давлением, наноструктуры --- методом фокусированного ионного травления; электрическое поле прикладывается в планарной структуре встречно-штыревых электродов. Исследуются структура, диэлектрические, электро-оптические и нелинейно-оптические свойства полученных образцов в широком диапазоне толщин и частот электрического поля. Показана высокая эффективность планарного переключения и его влияния на оптические свойства полученных структур. Наноструктурирование позволяет изменять диэлектрические и оптические свойства исследуемых материалов и таким образом увеличивать диапазон переключения функциональных параметров.

Работа поддержана РФФИ (гранты N 09-02-00254, 09-02-01403, 08-02-12031) и Министерством образования и науки РФ (АВЦП проекты N 2.1.1/587, 2.1.2/494).

 PDF версия (1.1Mb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2010, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster